Flash Memory Summit: Phase Change Memory von HGST
Flash ist viel zu langsam für viele Anwendungen, meint HGST. Das Unternehmen zeigt auf dem Flash Memory Summit eine Technik, die selbst über ein Netzwerk Geschwindigkeiten im RAM-Bereich erreicht.
Phase Change Memory (PCM) gehört nach Meinung von HGST die Zukunft bei Festspeichern, zumindest im Unternehmensbereich. Zur Demonstration zeigt das Unternehmen eine Anwendung, die über RDMA (Remote Direct Memory Access) und Infiniband auf einen anderen Rechner zugreift und dort eine Datenbank abfragt. Rund 2,3 µs braucht die Antwort – eine Abfrage aus dem RAM im Rechner ist laut HGST mit rund 1,9 µs nur wenig schneller. Schaue man sich die Anwendungsperformance an, gebe es praktisch keinen Unterscheid, meinte ein HGST-Sprecher.
Natürlich könne man die SSD auch gleich in den ersten PC einbauen, gab er zu. Das wäre auch etwas schneller, wie HGST im vergangenen Jahr bereits demonstriert hatte. Aber man habe ja Unternehmensanwendungen im Sinn, und da gebe es eben nicht nur eine Anfrage von einem Nutzer, sondern viele von unterschiedlichen Rechnern.
Bislang bezeichnet HGST die SSD als eine reine Technik-Demonstration. Auf der PCIe-Karte sind 2 TByte PCM-Speicher verbaut. Würde man sich etwas Mühe geben, könne man diese Menge aber sicher noch deutlich vergrößern. Das auf dem Flash Memory Summit allgegenwärtige NVMe-Protokoll bezeichnete der Sprecher als viel zu langsam mit viel zu viel Overhead. HGST habe einen eigenen Treiber entwickelt, über den die Karte angesprochen werde. Bei Bedaf sei man auch gerne bereit, diesen in den Linux-Kernel zu integrieren. Ein kommerzielles Produkt sei derzeit noch nicht geplant, das werde sicher noch zwei oder drei Jahre dauern.
Phase Change Memory ist ein nichtflüchtiger Speicher, der rein elektrisch beschrieben und gelesen wird. Beschrieben wird der Speicher durch einen kurzen Stromimpuls mit recht hoher Stromstärke, der das Material erhitzt. Beim Abkühlen wechselt es in den amorphen Zustand. Ein längerer Stromstoß mit geringerer Stromstärke führt zur Kristallisation. Da die beiden Zustände einen unterschiedlichen elektrischen Widerstand besitzen, kann man so ein Bit speichern. Bei Raumtemperatur ist der Zustand der Speicherzelle stabil. (ll)
