IDF: Speicherhersteller demonstrieren DDR4-SDRAM
In einer speziellen Testplattform von Intel konnten die Speicherhersteller schon mal die Lauffähigkeit von DDR4 unter Beweis stellen
Die "Memory Community" mit Samsung, Micron, Hynix, Inphi, IDT und anderen demonstriert auf dem IDF neben SSDs und Serial NOR auch ihren DDR4-Speicher mit 1,2 Volt Betriebsspannung. Von Intel sind dafür Testplattformen mit einer speziellen Prozessorversion verfügbar, die offenbar etwas wild zusammengebaut sind und daher bei den Speicherherstellern den scherzhaften Codenamen Frankenstein tragen. Zeigen durften sie daher das Innenleben nicht, nur Sichtfenster auf die Speicherriegel ins Gehäuse einbauen. Bei älteren Testsystemen soll es sich noch um einen für Sockel LGA2011-3 und DDR4 umgebauten Ivy-Bridge-E mit 12 Kernen handeln. Daneben konnte waren aber auch neuere Testsysteme mit einer Frühversion von Haswell E mit 14 Kernen zu bewundern, der Ende nächsten Jahres mit DDR4-Support herauskommen soll.
Erstaunlicherweise wurde nirgends ein Speicherbenchmark wie Stream gezeigt, sondern der für Speicher völlig ungeeigneten Linpack. Mit etwa 106 GFlops auf dem12-Kern-System lieferte der nicht einmal die Hälfte der Performance, die für solch ein System zu erwarten sein müssten. Zum Vergleich: Ein aktuelles Ivy-Bridge-EP-System mit zweimal 12 Kernen kommt auf 467 GFlops. Der DDR4-Test-Prozessor lief in den Systemen auch nur mit maximal 2,2 GHz Takt.
(as)
