NAND-Flash-Speicher mit 24-Nanometer-Strukturen

Willkommen im Klub: Nach eigenen Angaben fertigt nun auch Toshiba NAND-Flash-Speicherchips mit Strukturbreiten der 20-Nanometer-Klasse, genauer: mit 24-nm-Strukturen. Marktführer Samsung veröffentlicht weder genaue Werte für die erzielbare Strukturbreite der eigenen "20-nm-Class"-Fertigungstechnik noch die von den damit hergestellten 32-GBit-Bauelementen belegte Siliziumfläche. Letztere verrät auch Toshiba nicht für die neuen 64-GBit-Chips, sie sollen aber die zurzeit weltweit kleinsten sein – also müssten sie weniger als jene 167 Quadratmillimeter benötigen, die das Joint Venture von Intel und Micron für die eigenen 64-GBit-Chips mit 2-Bit-Multi-Level-Cell-(MLC-)Technik im Februar gemeldet hat.

Toshiba will mit der neuen Fertigungstechnik später auch NAND-Flashes mit 32 GBit (4 GByte) Kapazität produzieren sowie welche mit 3-Bit-Zellen, wie sie auch Intel/Micron kürzlich angekündigt hatten. Toshiba ist Fertigungspartner von Sandisk und fertigt bereits x3-MLC-Chips mit gröberen Strukturen. Die neuen Toshiba-Chips sollen auch in Versionen mit Toggle-DDR-Interface zu haben sein, der auch von Samsung verwendeten, schnellen Schnittstelle. Intel und Micron setzen hingegen auf DDR-Übertragung nach ONFI-Spezifikation.

Nach Einschätzung der taiwanischen Chip-Börse DRAMeXchange.com fallen die NAND-Flash-Speicherpreise zurzeit leicht. Ein 64-GBit-Chip kostet auf dem Spotmarkt momentan rund 12,40 US-Dollar. (ciw)