Samsung kündigt 512-GByte-SSD mit DDR-NAND-Flash an

Nachdem Toshiba schon länger 512-GByte-SSDs im 2,5-Zoll-Format produziert, plant nun auch Samsung ab Juli solche Disks im Volumen fertigen. Bei der neuen SSD-Generation sollen Speicherchips der "30-Nanometer-Klasse" zum Einsatz kommen, und zwar solche mit einem Double-Data-Rate-(DDR-)Interface, das bis zu 133 Millionen Datentransfers pro Sekunde (MT/s) erreicht ("Toggle-DDR-NAND"). Bisher setzte Samsung in seinen SSDs noch langsamere Single-Data-Rate-(SDR-)Chips ein.

Ein neuer Controller jagt die Daten nun mit bis zu 250 MByte/s beim sequenziellen Lesen und 220 MByte/s beim Schreiben über die 3 GBit/s schnelle SATA-Schnittstelle und verschlüsselt Daten per 256-Bit-AES. Samsung bewirbt besonders die niedrige Leistungsaufnahme der SSD: Bei ausbleibenden Zugriffen soll sie sich automatisch in einen Energiesparmodus begeben, der die Akkulaufzeit von Notebooks angeblich um mindestens eine Stunde verlängern kann. Konkrete Werte zur Leistungsaufnahme verrät der Hersteller leider nicht.

Wann die Disks in den Handel kommen, ist noch ungewiss. Auch Preise sind noch nicht bekannt. Geplant ist laut Roadmap offenbar auch eine 1,8-Zoll-Variante der 512-GByte-SSD, die den allmählich aussterbenden 1,8-Zoll-Magnetplatten den Platz in ultraportablen Notebooks streitig machen könnte. Die kleinen Magnetlaufwerke fassen aktuell nur maximal 320 GByte. (boi)