Sandisk, Toshiba und Samsung rüsten sich für 3D-Flash-Chips
Laut Samsung läuft die Produktion von 3D-V-NAND bereits an, Toshiba und Kooperationspartner Sandisk reißen eine ihrer japanischen Fabs für einen Neubau ab.
Höhere Speicherkapazität pro Chip wollen die NAND-Flash-Hersteller künftig durch einen neuen inneren Aufbau der Speicherzellen erreichen: Statt auf planare Architektur (2D) setzen sie auf dreidimensionale Strukturen, etwa eine vertikale Anordnung. Samsung fertigt monolithische 3D-V-NAND-Chips, die 24 Funktionslagen übereinander besitzen. Das Stapeln spart Siliziumfläche, sodass die einzelne Zelle wieder größer ausfallen darf – das kann der Robustheit zu Gute kommen, also der Zahl der Schreibzyklen, oder auch der Geschwindigkeit beim Schreiben und Lesen.
(Bild: Samsung)
Samsung hat bereits erste SSDs mit 3D V-NAND angekündigt und fertigt sie auch bereits, kaufen kann man sie im Einzelhandel hierzulande aber nicht. Die neue Chip-Fab in der chinesischen Stadt Xi'an, wo die Seidenstraße endet, wurde kürzlich in Betrieb genommen und fertigt 3D-V-NAND-Chips.
Toshiba und Kooperationspartner Sandisk sind noch nicht soweit: Sie reißen die ältere Fab 2 im japanischen Yokkaichi ab, um am gleichen Ort ein neues Gebäude zu errichten und darin bis 2016 Fertigungsanlagen für 3D-NAND in Betrieb zu nehmen.
(Bild: Samsung)
Die ersten 3D-Vertical-NAND-Flashes von Samsung besitzen 24 Lagen und speichern 128 Gigabit, also 16 GByte. Diese Chips stapelt Samsung wiederum in Bauelementen mit 32, 64 oder gar 128 GByte Kapazität. In welcher Enterprise-SSD die 3D-V-NAND-Chips stecken, ist bisher unklar: Auf der Samsung-Webseite finden sich die SATA-SSDs PM843, SM843 Pro, SM843T, SV843, PM853T sowie die SAS-Typen SM1623, SM1625 und SM1635 – aber keine davon ist laut den dortigen Angaben mit 3D-V-NAND bestückt. (ciw)
