Server-SSDs: Mehr MLC-Modelle und neue Kooperationen
Samsung und Seagate machen bei der Entwicklung von Server-SSDs gemeinsame Sache und planen wie auch Intel neue Server-SSDs mit Multi-Level-Cell- statt Single-Level-Cell-Flash.
Seagate hat langjährige Erfahrung bei der Herstellung von Server-Festplatten, Samsung neben dem Festplattengeschäft unter anderem auch die Flash-Speicherfertigung im eigenen Hause. Im Rahmen eines Lizenzaustausch-Abkommens wollen beide Festplattenhersteller nun gemeinsam die Entwicklung eines Controllers für Server-SSDs vorantreiben. Er soll in neuen Flash-Disks von Seagate zum Einsatz kommen, die dann mit Multi-Level-Cell-(MLC-)Speicherchips der 30-Nanometer-Klasse von Samsung bestückt sein sollen und 2012 auf den Markt kommen könnten.
Die heutige Ankündigung stützt den Trend, dass Anbieter von Server-SSDs bei neuen Modellen verstärkt auf MLC-NAND-Flash und nicht mehr auf das kostspielige SLC-Flash (Single-Level Cell) setzen, was den Disks zu höherer Speicherkapazität bei gleichzeitig geringeren Preisen verhilft. Die Schwächen von MLC-Flash – höhere Defektanfälligkeit, langsameres Tempo –, die bisher gegen ihren Einsatz in Server-Disks sprachen, wollen die Hersteller künftig durch intelligentere Controller kompensieren.
So plant etwa Intel, die nächste Generation Server-SSDs – womöglich schon im vierten Quartal – ebenfalls mit MLC-Flash auf den Markt zu bringen, spart sich aber den erwarteten Zwischenschritt mit besonders robusten 34-nm-MLC-Flashes und schwenkt gleich auf 25-nm-MLC um. Die Lyndonville-Disks soll es in Varianten mit 100, 200 und 400 GByte geben und sie sollen ihre Daten auch mit einem Hardware-Controller verschlüsseln können.
Etwas gegen den Strom schwimmt die Firma Micron, die für Oktober mit der P300 eine Servervariante der RealSSD mit SATA-6G-Schnittstelle angekündigt hat. Mit den schnelleren SLC-Chips soll die Disk die seit einiger Zeit erhältliche MLC-Variante der RealSSD (C300) in puncto Transferraten und nochmals übertrumpfen und dann sequenzielle Transferraten von bis zu 360 MByte/s beim Lesen und 275 MByte/s beim Schreiben erreichen. Die Anzahl der maximal möglichen Ein-/Ausgabeoperationen (I/O Operationen pro Sekunde, IOPS) beziffert der Hersteller auf 44.000 (Lesen) respektive 16.000 (Schreiben). (boi)
