Chiphersteller testen EUV-Lithografie

Ein US-Konsortium aus Industrie und Wissenschaft hat jetzt eine Test-Anlage für 0,07-µm-Prozesse in der Chipfertigung in Betrieb genommen. Die Extreme Ultraviolet Limited Liabilty Company (EUV LLC), an der sich neben dem Lawrence Livermoore National Laboratory und dem Sandia National Laboratory beispielsweise auch Intel, AMD und Motorola beteiligen, will bis 2003 eine Prototyp-Produktionsanlage für die Lithografie mit extremem Ultraviolett-Licht (10 bis 40 Nanometer Wellenlänge) bauen.

Da die Wellenlänge der Lithografie-Quelle letztendlich die kleinstmögliche Fertigungsstruktur bestimmt, arbeitet die Halbleiterindustrie fieberhaft an lithografischen Verfahren mit möglichst kurzwelligen Strahlungsquellen. Mit der unter anderem vom Bundesforschungsministerium geförderten Entwicklung von 157-Nanometer-Lithografie lassen sich beispielsweise Strukturen bis zu 100 Nanometern fertigen.

Für die Produktion noch kleinerer Strukturen kommt im Prinzip nur noch Elektonenstrahl-Lithografie oder weiche Röntgenstrahlung in Frage. Strahlung dieser Wellenlängen lässt sich nicht mehr mit Linsen, sondern nur mit ausgefeilten Spiegeloptiken auf dem Wafer fokussieren. Die EUV-Reflektoren müssen extrem präzise gefertigt werden und haben eine sehr viel geringere Reflektionsfähigkeit als die aus dem Alltag bekannten optischen Spiegel. Da ein EUV-Belichtungssystem aus mehreren solcher Spiegel besteht, ist der Gesamtwirkungsgrad gering, was sehr lange Belichtungszeiten mit einem entsprechend geringen Wafer-Durchsatz zur Folge hat. (wst)