EUV-Lithographie steht mal wieder kurz bevor

Die Belichtung von Chips mit Licht aus dem extremen UV-Bereich soll noch feinere Strukturen als bisher ermöglichen, bringt jedoch Probleme mit sich. Ab 2016 könnte es aber endlich mit der Serienfertigung losgehen.

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EUV-Lithographie vielleicht schon 2018

EUV-Belichtung soll Chipstrukturen von 7 nm und kleiner ermöglichen, Stepper wie der NXE:3300B sind gerade in der Erprobungsphase.

(Bild: ASML)

Lesezeit: 2 Min.
Von
  • Benjamin Benz

Ab 2016 könnte laut dem Anlagenhersteller ASML die Extreme Ultraviolet Lithographie (EUV) Einzug in die Serienfertigung von Logikchips halten, ab 2017 wären dann DRAM- und NAND-Chips möglich. Die ersten Prozessoren damit könnten 2018 von Intel stammen und 7-nm-Strukturen haben. Intel selbst hält sich da unterdessen noch bedeckt. Vor wenigen Tagen stellte William Holt gegenüber Analysten klar, dass noch nicht entschieden sei, ob EUV bis dahinausgereift genug sei, oder ob man den Prozess 1276 mit FinFETs noch einmal ohne EUV umsetzen würde -- genau wie bei der 10- und 14-nm-Prozesstechnik, für die Intel noch herkömmliche 193-nm-Laser nutzt (Intels Prozess 1270: 22 Nanometer, Prozess 1272: 14 Nanometer, Prozess 1274: 10 Nanometer).

Nach eigenen Aussagen hat ASML aber bereits vier Belichtungsautomaten vom Typ
Twinscan NXE:3300B an Intel geliefert, drei weitere sind an andere Kunden gegangen. Dort sollen sie 2014 unter Testbedingungen bereits einen Durchsatz von 500 belichteten Wafern pro Tag erreicht haben und diesen Wert bis 2016 verdreifachen. Allerdings liefert die aktuelle Version des Belichters nur eine Auflösung von 22 nm, was nur für 10-nm-Prozesse reicht. Erst das für Mitte 2015 angekündigte Update OFP 3300B bringt 16-nm-Auflösung und könnte so überhaupt 7-nm-Strukturen belichten. Noch feinere Strukturen sind dann dem Nachfolger NXE:3350B vorbehalten.

Die Chipfertiger kämpfen schon länger mit dem Problem, dass Belichter und Masken mit Strukturen arbeiten müssen, die kleiner sind als die Wellenlänge des verwendeten Lichtes. Bereits für den 65-nm-Prozess war daher vor 13 Jahren der Umstieg auf EUV und Laser mit 13,5 nm Wellenlänge im Gespräch. Weil das aber zahlreiche technische Probleme mit sich bringt, haben die Chipfertiger deren Einführung mit diversen technischen Tricks immer weiter verschoben, um vom Sand zum Chip zu kommen. (bbe)