Halbleiterproduktion: Samsung will angeblich Milliarden in den USA investieren
Samsungs Produktionsstätte in den USA soll Chips mit Strukturbreiten von 3 Nanometern produzieren.
Samsungs bestehende 14-nm-Fab in Austin, Texas.
(Bild: Samsung)
Ab 2023 könnte Samsungs Halbleitersparte eine zweite Chipproduktionsstätte in den USA in Betrieb nehmen. Laut der Nachrichtenagentur Bloomberg will das Unternehmen mehr als 10 Milliarden US-Dollar in den Bau investieren, umgerechnet gut 8,2 Milliarden Euro.
Als Standort soll Samsung Austin in Texas auserkoren haben, schreibt Bloomberg. Der Baustart soll noch dieses Jahr erfolgen, sofern man sich mit der US-Regierung einigt – derzeit leistet Samsung demnach Lobby-Arbeit für wirtschaftliche Hilfe von staatlicher Seite. Ab 2023 würde die Produktionsstätte Siliziumchips mit 3-Nanometer-Technik an Kunden liefern.
14-nm-Fab bereits in Austin
Schon seit Ende der 90er-Jahre betreibt Samsung eine Produktionsstätte in Austin, Texas, die sich lange auf SDRAM-Chips fokussierte. Zuletzt wurde die Fertigungstechnik im Jahr 2015 aufgerüstet, um mit Strukturbreiten von 14 nm zu fertigen.
Mittlerweile gehören 14 nm zum alten Eisen, für kommende Prozessgenerationen lassen sich bestehende Standorte aber nicht mehr lange aufrüsten: Nach der 3-nm-Generation benötigen Hersteller EUV-Belichtungsmaschinen mit hoher numerischer Apertur (High-NA EUV) von 0,55 statt 0,33, die mehr Platz in Anspruch nehmen. Einen Neubau könnte Samsung entsprechend ausrichten.
Konkurrent TSMC ist derweil schon einen Schritt weiter und hat sich mit der US-Regierung auf den Bau einer Produktionsstätte mit Investitionen von bis zu 12 Milliarden US-Dollar bis 2029 geeinigt. Ab 2024 will TSMC 5-nm-Chips fertigen. Mit einem monatlichen Wafer-Aufkommen von rund 20.000 Siliziumscheiben gehört die Arizona-Fab allerdings zu den eher kleineren Vertretern moderner Produktionsstätten.
(mma)
