IBM: High-k Metal Gate können wir auch
Die IBM-Chipsparte betont, ab 2008 genau wie Intel Transistoren mit High-k-Dielektrikum und Metallelektroden fertigen zu wollen.
Nachdem Chip-Weltmarktführer Intel neue Materialkombinationen als wichtigen Fortschritt in der Halbleiterfertigungstechnik vorgestellt hat, betont IBM, diese Materialen künftig ebenfalls einsetzen zu wollen.
Im zweiten Halbjahr 2007 will Intel erste 45-Nanometer-Prozessoren ausliefern; zur höheren Effizienz dieser Chips sollen zwei technische Neuerungen der P1266-Fertigungstechnik beitragen, nämlich ein Gate-Isolator mit hoher Dielektrizitätszahl (High k) und eine Gate-Elektrode aus Metall statt Polysilizium. Nun betont IBM, dass man High-k und Metal Gates (HKMG) ebenfalls in der kommenden 45-nm-Technik einsetzen wolle, die gemeinsam mit AMD sowie Sony und Toshiba (also den Cell-Partnern) entwickelt wurde.
Ab 2008 will IBM erste 45-nm-Produkte fertigen. IBM hat – ebenso wie Intel – in der Vergangenheit immer wieder über Fortschritte bei der Entwicklung von High-k-Dielektrika und Metallelektroden berichtet. (ciw)
