IBM baut Schaltkreis aus Nanoröhrchen

Wissenschaftler am IBM Watson Research Center haben erstmals einen logischen Schaltkreise aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen realisiert. Das NOT-Gatter besteht aus zwei hintereinander geschalteten Feldeffekttransistoren – einem p- und einem n-Typ-Transistor.

Die Gruppe um Phaedon Avouris stellte ihre Arbeit am Wochenende auf einer Konferenz der American Chemical Society vor. In zehn bis fünfzehn Jahren, wenn die weitere Integration von Silizium-Schaltkreisen wahrscheinlich an physikalische Grenzen stößt, wollen die IBM-Wissenschaftler Silizium durch Kohlenstoff-Nanoröhrchen ersetzen können.

Die Wissenschaftler entwickelten eine vergleichsweise simple Methode, um halbleitende Nanoröhrchen zu dotieren – um aus p-leitenden Nanoröhrchen n-leitende zu machen, werden sie für etwa zehn Stunden auf rund 200°C erhitzt. Unter Sauerstoffeinfluss ist der Prozess umkehrbar. Schützt man einen Teil des Röhrchens mit einer Maske, kann man so gezielt bestimmte Abschnitte des Röhrchens dotieren.

Erst Ende April hatten IBM-Forscher mit ihrer "konstruktiven Destruktion" eine Methode vorgestellt, mit der die Herstellung von FETs aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen wesentlich vereinfacht werden kann. (wst)