IDF: Kommende Speicher-Standards und neue DIMMs

Neue Speichertechniken sind ein wichtiges IDF-Thema, denn die Hardware-Hersteller- und -Verkäufer sind nicht immer begeistert von Intels Innovationstempo -- der hektische DDR2-Umstieg sorgt jedenfalls für Diskussionsstoff. Intel leistet deshalb eifrige Überzeugungsarbeit und präsentiert auf jedem IDF die Vorteile neuer DRAM-Generationen.

Intel treibt das Industriegremium JEDEC kontinuierlich an, neue DRAM-Standards für PC- und Server-Hauptspeicher zu verabschieden. Intel war Vorreiter beim Umstieg von EDO- auf SDRAM, zögerte dann (wegen Rambus) bei DDR-SDRAM, um dann umso schneller die DDR2- und bald die DDR3-Technik einzuführen. Auch bei den Fully-Buffered-Speicherriegeln (FB-DIMMs), die kommende Server-und Workstation-Generationen wesentlich mehr Speicher bei hoher Transferrate zugänglich machen sollen.

Infineon kündigt eine vollständige Palette an FB-DIMMs und den dazugehörigen Komponenten an. Die für FB-DIMMs nötigen AMB-Chips (Advanced Memory Buffer) liefert Infineon schon aus, auch an andere DIMM-Hersteller. Das aktuelle Modell erreicht auf der Chipsatz-Schnittstelle bis zu 4,8 GBit/s und bindet DDR2-533- und DDR2-667-Chips an. Wie viele Datenleitungen der Chipsatz pro FB-DIMM-Kanal haben wird, verrät Infineon nicht -- wären es acht, so könnte ein solcher Kanal bei 4,8 GBit/s pro Leitung 6,4 GByte/s erreichen, also so viel wie heute ein zweikanaliges PC3200-Interface. Die aktuell (auch etwa von Elpida, Micron oder Samsung) angekündigten FB-DIMMs haben Speicherkapazitäten von bis zu 4 GByte -- ähnlich wie bei Registered DIMMs können darauf mehr DRAM-Chips sitzen als auf ungepufferten DIMMs (für Desktop- und Notebook-Rechner). Im Unterschied zu RDIMMs sollen FB-DIMM-Chipsätze auch bei der Bestückung mit vielen Modulen die Taktfrequenz nicht senken.

Für kompakte Server, etwa Blades, kündigt Infineon unterdessen Very-Low-Profile-Module (VLP-DIMMs) mit 18,3 Millimetern Bauhöhe und Dual-Die-Chips an, die bis zu 2 GByte Kapazität erreichen -- die PC3200-Version aus DDR400-Chips erreicht maximal 1 GByte (was übrigens die Einschätzung bestätigt, dass auch ungepufferte 2-GByte-Module nach PC3200-Standard für Athlon-64-Mainboards selten bleiben werden).

Elpida hat unterdessen die ersten DDR3-Chips fertig entwickelt. Laut Elpida sollen DDR3-Chips, die wohl Ende 2006 mit 400 MHz an den Start gehen (DDR3-800), bis zu 667 MHz erreichen können (DDR3-1333). Um die hohen Frequenzen bei 1,5 Volt Betriebsspannung mit vertretbarem Leistungsbedarf erreichen zu können, setzt Elpida auf 90-nm-Fertigung und Dual-Gate-Transistoren; nach Firmenangaben kommen diese damit erstmals in einem DRAM zum Einsatz. 512-MBit-Muster sollen ab Ende 2005 ausgeliefert werden, im Laufe des Jahres 2006 ist die Großserienproduktion geplant. Elpida entwickelt auch 1- und 2-GBit-DDR3-SDRAMs.

Auch Micron hat ein 4-GByte-FB-DIMM ebenso fertig entwickelt wie VLP-DIMMs und stellt diese Produkte auf dem IDF vor. Micron verweist dabei auf AMBs von IDT und Intel. IDT kündigt an, AMBs auch mit Integrated Heat Spreader (IHS) ausliefern zu wollen.

Siehe zum IDF Herbst 2005 auch:

• Xen kriegt Windows XP unter Kontrolle
• Testversionen der Mac-OS-X-Compiler von Intel bis zum Jahresende
• Robuster PC für ärmere und schlecht versorgte Regionen
• ServerWorks ausgeladen
• Vor Merom kommen Yonah und Sossaman
• Mit weniger Energie zu mehr Leistung
• AMD fordert Intel zum Dual-Core-Duell
• Ein Prozessor, viele Funkstandards
• ASMI-Fernwartung und PCIe-SAS-Hostadapter für Server
• Intel vor dem x86-Umschwung
• Intel will die Zukunft beschleunigen