ISSCC: Neuer Meilenstein in der MRAM-Entwicklung

07.02.2001 12:28 Uhr Natalia Pander, Matthias Holtz

In Motorolas Entwicklungsabteilung laufen bereits MRAMs (Magnetoresistive Random Access Memory) von 256 KBit Größe.

Motorolas [1] ISSCC [2] IBM in Zusammenarbeit mit Infineon [3] FRAM [4] FeRAM [5]

Speichertechnologien im Vergleich

(aus: Robert Sietmann, Das klassische DRAM bekommt Konkurrenz, c´t 6/1999)

	DRAM	EEPROM	Flash	FRAM	MRAM
Lesezyklen	>10¹⁵	>10¹⁵	>10¹⁵	10¹² -10¹⁵	>10¹⁵
Schreibzyklen	>10¹⁵	10⁴ -10⁶	10⁵ -10⁶	10¹⁰ -10¹⁵	>10¹⁵
Schreibspannung	2,5-5 V	12-18 V	10-18 V	0,8-5 V	-
Schreibenergie	10-200 pJ	1 pJ	10-200 pJ	1 pJ	10-200 pJ
Schreibzeit	~ ns	1-10 ms	1 µs-1 ms	~ ns	~ ns
Zugriffszeit	40-70 ns	40-70 ns	40-70 ns	40-70 ns	40-70 ns
Zellfläche	8 f²	~40 f²	8-12 f²	9-13 f²	4 f²
f = 0,25 µm²	0,5 µm²	2,5 µm²	0,5-0,7 µm²	0,6-0,8 µm²	0,25 µm²
Datenhaltung	flüchtig	>10 Jahre	>10 Jahre	>10 Jahre	>10 Jahre
Leistungsaufnahme	1 x	1-1,5 x	1-1,5 x	0,5-1 x	0,5-1 x

(Natalia Pander, Matthias Holtz) /

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[1] http://www.motorla.com
[2] http://www.isscc.org/isscc/
[3] https://www.heise.de/news/IBM-und-Infineon-mit-neuer-Speichertechnik-32736.html
[4] https://www.heise.de/news/Infineon-investiert-in-Speichertechnik-Entwickler-25949.html
[5] https://www.heise.de/news/Infineon-und-Toshiba-entwickeln-FeRAM-26488.html