ISSCC: Neuer Meilenstein in der MRAM-Entwicklung
In Motorolas Entwicklungsabteilung laufen bereits MRAMs (Magnetoresistive Random Access Memory) von 256 KBit Größe.
Speichertechnologien im Vergleich
(aus: Robert Sietmann, Das klassische DRAM bekommt Konkurrenz, c´t 6/1999)
| DRAM | EEPROM | Flash | FRAM | MRAM | |
| Lesezyklen | >1015 | >1015 | >1015 | 1012 -1015 | >1015 |
| Schreibzyklen | >1015 | 104 -106 | 105 -106 | 1010 -1015 | >1015 |
| Schreibspannung | 2,5-5 V | 12-18 V | 10-18 V | 0,8-5 V | - |
| Schreibenergie | 10-200 pJ | 1 pJ | 10-200 pJ | 1 pJ | 10-200 pJ |
| Schreibzeit | ~ ns | 1-10 ms | 1 µs-1 ms | ~ ns | ~ ns |
| Zugriffszeit | 40-70 ns | 40-70 ns | 40-70 ns | 40-70 ns | 40-70 ns |
| Zellfläche | 8 f2 | ~40 f2 | 8-12 f2 | 9-13 f2 | 4 f2 |
| f = 0,25 µm2 | 0,5 µm2 | 2,5 µm2 | 0,5-0,7 µm2 | 0,6-0,8 µm2 | 0,25 µm2 |
| Datenhaltung | flüchtig | >10 Jahre | >10 Jahre | >10 Jahre | >10 Jahre |
| Leistungsaufnahme | 1 x | 1-1,5 x | 1-1,5 x | 0,5-1 x | 0,5-1 x |
