Infineon entwickelt schnellere Speicherchips (Update)
Dank eines besonderen Gehäusestandards eignet sich Infineons SGRAM-Chip für Taktfrequenzen bis zu 300 MHz. Ein ganz neuer Spiechertyp namens RL-SDRAM soll sogar SRAM ablösen können.
Dank eines besonderen Gehäusestandards eignet sich Infineons SGRAM-Chip für Taktfrequenzen bis zu 300 MHz. Anders als die bisher üblichen SDRAM- und SGRAM-Bausteine für Grafikkarten, die in TSOP- oder TQFP-Gehäusen sitzen (Thin Small Outline Package, Thin Quad Flat Package), verwendet Infineon ein neues, vom Industriegremium JEDEC standardisiertes Ball-Grid-Array-Gehäuse (BGA). Dessen besseres Frequenzverhalten und das Double-Data-Rate-Interface des neuen 128-MBit-Chips sind für Datentransferraten von bis zu 600 MBit/s pro Pin gut.
Die Datentransferrate zwischen Grafikchip und Speicher ist ein Flaschenhals moderner Grafikkarten. Die bisher schnellsten 128-MBit- (16-MByte-) DDR-SDRAM-Chips bieten bei 250 MHz Taktfrequenz 500 MBit/s.
Der neue Grafikspeicher ist zu 4M x 32 organisiert, vier Chips reichen für einen 64 MByte großen Grafikspeicher. Ebenfalls neu ist das impedanzangepasste 1,8-Volt-Interface, das sowohl für geringere Leistungsaufnahme als auch höhere Taktfrequenzen sorgt. Der mit 11 x 11 Quadratmillimetern winzige Chip eignet sich auch gut für Mobilanwendungen oder für Netzwerkprozessoren. Nach eigenen Angaben liefert Infineon bereits Mustermengen zum Einzelpreis von 33 US-Dollar in 1000-er Stückzahlen.
SGRAM steht für Synchronous Graphics RAM und ist bis auf eine spezielle interne Organisation, die sich besser für den Transfer gößerer Datenblöcke eignet, eng dem SDRAM verwandt.
Einen ganz neuen Ansatz bietet RL-SDRAM, für das es bisher noch keine Standardanwendung gibt. Es arbeitet auch mit einem 1,8-Volt-DDR-Interface, ist aber grundlegend schneller als herkömmliches SDRAM. Infineon hat bei diesem Reduced Latency SDRAM die Zugriffszeit auf das eigentliche Speicherfeld halbiert: Statt 50 Nanosekunden wie die heute üblichen Single- und Double-Data-Rate-SDRAMs benötigt RL-SDRAM nur noch 25 Nanosekunden. Dank acht interner Bänke und bis zu 300 MHz Taktfrequenz eignet sich RL-SDRAM für Anwendungen, in denen bisher SRAM zum Einsatz kam. Die 256-MBit-Chips sollen ab dem dritten Quartal in Musterstückzahlen hergestellt werden. Es sind 8Mx32- und 16Mx16-Chips in 144-poligen Thin-Profile-BGA-Gehäusen geplant, die ab dem Jahre 2002 in die Serienfertigung gehen sollen.
RL-SDRAM konkurriert mit neuen Speichertehniken wie Toshibas Fast Cycle DRAM (FCRAM) oder dem 1T-SRAM von MoSys. (ciw)
