Infineon und Toshiba entwickeln FeRAM

Infineon scheint wild entschlossen, bei allen denkbaren künftigen Speichertechniken mitzuarbeiten: Nach der kürzlich verkündeten Kooperation mit IBM bei der Entwicklung von MRAM und dem Einstieg bei der FRAM-Schmiede Ramtron steht jetzt die Zusammenarbeit mit Toshiba bei FeRAM-Speicherchips (Ferroelectric RAM) auf dem Programm .

Toshibas FeRAM arbeitet prinzipiell genau so wie das Ramtron-FRAM: Beide Firmen verwenden als Speicherelemente keramische Filme aus Blei-Zirkon-Titanat (PZT, PbZrxTi1–xO3). PZT weist ein Hystereseverhalten bezüglich der elektrischen Polarisation auf, das man zur Informationsspeicherung nutzt.

Die Zusammenarbeit von Toshiba und Infineon zielt auf ein 32-MBit-FeRAM, das die heute üblichen, aus einem SRAM und einem Flash-Speicher aufgebauten Multichipmodule in Handys ersetzen soll. Toshiba bringt das Know-how ein, das bei der Herstellung eines 8-MBit-FeRAMs gewonnen wurde. Die Aufgabe von Infineon ist, die Zahl der Schreib-Lese-Zyklen der FeRAM-Chips zu steigern und die Kontamination des Siliziumsubstrates durch Metalle zu verringern.

Aktuelle FRAMs vertragen maximal rund 10 Milliarden Schreibvorgänge. Da aber auch nach Lesezugriffen ein Refresh des Zellinhaltes nötig ist, zählen auch Lesezugriffe in diesem Sinne zu den Schreibzyklen. Es liegt also noch einiges an Entwicklungsaufwand vor den beiden Kooperationspartnern. (ciw)