Intel steigt aus der Entwicklung der 157-nm-Lithografietechnik aus
Der weltweit umsatzstärkste Halbleiterhersteller sorgt für Aufregung in der Branche: Intel will eine fest eingeplante Fertigungstechnik-Generation überspringen.
Intel will eine bisher fest eingeplante Fertigungstechnik-Generation überspringen. Statt kommende CMOS-Halbleiter mit 45-Nanometer-Strukturen mit neu zu beschaffenden Anlagen für 157-nm-Lithografie herzustellen, plant Intel nun, die Einsatzmöglichkeiten der vorhandenen 193-nm-Maschinen durch Aufrüstungen zu erweitern. Das soll beispielsweise durch die Beschaffung noch zu entwickelnder Linsensysteme mit einer numerischen Apertur von 0,93 möglich werden, wie die Online-Ausgabe der EE Times berichtet.
Die Fertigung von Halbleitern mit 45-nm-Strukturen wird im Jahre 2007 erwartet; anschließend will Intel für den 32-nm-Prozess direkt auf die EUV-Technik (mit Licht im fernen ultravioletten Spektrum) umsteigen. Intel favorisiert die EUV-Technik schon seit Jahren, obwohl Kritiker hier sehr hohe Entwicklungsrisiken befürchten sowie etwa auch extrem hohe Kosten für die neuartigen Masken.
Schon seit geraumer Zeit ist in der Branche Verunsicherung über den besten Weg zu kleineren Halbleiterstrukturen spürbar. Weil die Verfahren, Anlagen und selbst Betriebsmittel wie passende Fotolacke für kommende Chipgenerationen erst entwickelt werden müssen, kooperieren die eigentlich hart konkurrierenden Unternehmen notgedrungen. Kein Hersteller kann sich die gewaltigen Investitionen mehr alleine leisten, daher arbeitet die Branche gemeinsam und kontinuierlich im Rahmen des Forschungskonsortiums International Sematech an einem Fahrplan (International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS) zur Strukturverkleinerung. Daran halten sich auch die Anlagenhersteller, die unter hohem Zeitdruck die zugehörigen Maschinen bereitstellen.
Die relativ junge Halbleiterindustrie ist allerdings zurzeit geprägt vom Abwärtstrend der letzten Jahre (der zwar bekanntermaßen zyklisch wiederkehrt, aber offenbar trotzdem überraschte), der Konzentrationsprozesse enorm beschleunigt. Daher bestimmen die Branchengrößen immer stärker den Fahrplan und es sind nur noch wenige Anlagenhersteller übrig geblieben -- im wesentlichen stellen noch die niederländisch/US-amerikanische ASML sowie die Japaner Canon und Nikon Lithografiesysteme für die Großserienproduktion her.
Intels Entscheidung, die von einigen Firmen mit großem finanziellen Einsatz und auch öffentlichen Fördermitteln seit Jahren vorangetriebene 157-nm-Technik auszulassen, könnte deshalb weit reichende Folgen haben. Kleinere Hersteller befürchten, Intel setze bewusst auf ein teures und mit hohem Risiko verbundenes Fertigungsverfahren, um die Konkurrenz abzuschrecken und durch die neue Technik den Technologievorsprung noch weiter zu vergrößern. Die Anlagenhersteller verlieren den potenziell wichtigsten Kunden für ihre 157-nm-Produkte, was ihre Kalkulation sicherlich beeinflusst.
Intel hat allerdings schon früher angedeutet, die 157-nm-Technik nicht, wie ursprünglich geplant, für die 65-nm-Fertigung anzuwenden. Nach Informationen der EE Times erteilt Intel auch der Immersionstechnik eine Absage, bei der man die optischen Eigenschaften von 193-nm-Anlagen durch das Einbringen der Linsen und Siliziumwafer in Wasser oder andere Flüssigkeiten verbessert. Angeblich begründet Intel seine Ablehnung der 157-nm-Technik unter anderem mit der ungeklärten Situation bei den passenden Linsen und Fotolacken. Nur Linsen aus Kalziumfluorid (CaF2) sind für ultraviolettes Licht mit 157 nm Wellenlänge durchlässig, wie es F2-Excimerlaser ausstrahlen. Intel rechnet offenbar nicht damit, dass sich eine ausreichende Versorgung mit solchen Linsen bis zum Jahre 2007 sicherstellen lässt. Allerdings kommen CaF2-Optiken wohl auch in EUV-Systemen zum Einsatz, die ab 2009 tauglich sein sollen zur Halbleiterproduktion.
Genauere Informationen zu Intels Halbleiter-Fahrplan erwartet man von den nächsten VLSI-Symposien, die in zwei Wochen im japanischen Kyoto stattfinden. (ciw)
