Intel und Micron planen Fabrik für NAND-Flash-Chips
Das von beiden Unternehmen Ende 2005 gegründete Joint Venture IM Flash Memory Technologies solle Ende 2008 oder Anfang 2009 eine neue Fabrik in Betrieb nehmen.
Eine vom Intel/Micron-Joint-Venture IM Flash Memory Technologies geplante Fabrik soll ihre Produktion Ende 2008 oder Anfang 2009 aufnehmen. Dort würden 300-Millimeter-Chips für NAND Flash produziert, berichtet das Wall Street Journal. Außerdem solle die Produktion in drei bereits vorhandenen Fertigungsstätten im Verlauf des kommenden Jahres gesteigert werden. Finanzielle Details des Investitionsvorhabens wurden nicht bekannt gegeben. Die Errichtung einer 300-mm-Fab kostet im Normalfall 2 Milliarden US-Dollar, schreibt die Zeitung.
Bisher sind Samsung und Toshiba die Platzhirsche auf dem Markt für NAND-Flash-Speicher. Sie nehmen laut Wall Street Journal zusammen 75 Prozent des Marktes ein. An dritter Stelle folgt das südkoreanische Unternehmen Hynix, das bereits seine Chipproduktion gesteigert habe. An dem Ende 2006 gegründeten IM Flash Memory Technologies hält Intel 49 Prozent, Micron die restlichen 51 Prozent. Laut Brian Harrison, bei Intel für Flash-Speicher zuständig, sei jährlich die Errichtung einer neuen Fab für NAND-Flash-Chips denkbar. (anw)
