Intel gründet mit Micron eine neue NAND-Flash-Firma
Unter dem Namen IM Flash Memory Technologies wollen Intel und Micron gemeinsam NAND-Chips produzieren. Intel will seine eigene NOR-Familie weiterführen.
Chip-Weltmarktführer Intel und der US-amerikanische DRAM-Spezialist Micron gründen unter dem für deutsche Ohren seltsam klingenden Namen IM Flash Memory Technologies ein Jointventure, das sich auf die Produktion von NAND-Flash-Speicherchips konzentrieren soll. Intel hat bisher nur Erfahrung mit den (teureren) NOR-Flash-Bausteinen, die vor allem zur Speicherung von Programm-, BIOS- und Firmware-Code beispielsweise in Handys oder auf Mainboards zum Einsatz kommen. Im NOR-Flash-Markt kämpfen die beiden führenden Hersteller AMD (Spansion) und Intel seit Jahren mit harten Bandagen um Marktanteile.
NAND-Flash-Bausteine sind langsamer als NOR-Flashes, benötigen aber weniger Wafer-Fläche und sind deshalb bei gleicher Kapazität deutlich günstiger. Außerdem sind Chips mit wesentlich höherer Kapazität – bis zu 8 GBit – lieferbar. NAND-Flash steckt beispielsweise in USB-Sticks (USB Flash Devices, UFD), in Speicherkarten (CF, MMC, SD, Memory Stick) und als Datenspeicher in MP3-Playern. Der NAND-Flash-Markt ist noch stärker umkämpft als der NOR-Flash-Markt, weil viel mehr Anbieter konkurrieren; an erster Stelle steht Samsung Electronics – der koreanische Gigant führt auch den DRAM-Markt an, weit vor Micron. Einige große DRAM-Firmen – außer Samsung und Micron auch Hynix, Infineon oder Winbond – sind schon seit einiger Zeit im NAND-Flash-Markt aktiv: Auf älteren Produktionsanlagen für gröbere Strukturen lassen sich DRAM-Chips mit konkurrenzfähigen technischen Eigenschaften nicht mehr zu wirtschaftlichen Preisen fertigen, weshalb eine Nachnutzung für Flash die Amortisation verbessert und die Produkt-Palette diversifiziert. Micron stellt aus ähnlichen Gründen auch CMOS-Bildsensoren für billige Digitalkameras und Handys her. DRAM-Anlagen taugen nur eingeschränkt zur Fertigung von Logik-Chips – in den letzten Jahren gibt es auch deshalb einen Trend zur Abspaltung der Chip-Produktion für den extrem zyklischen DRAM-Markt, außer jüngst bei Infineon etwa auch bei NEC (Elpida). Einige Hersteller wie Intel, TI, IBM und Toshiba sind im Laufe der Zeit aus dem DRAM-Geschäft komplett ausgestiegen.
Wegen der harten Konkurrenz im NAND-Markt kommt die Ankündigung einer neuen Flash-Firma von Intel und Micron überraschend. Die beiden Firmen kooperieren allerdings schon seit Jahren: Micron verkauft nicht nur Intel-StrataFlash-kompatible NOR-Chips, sondern Intel ist auch an Micron beteiligt. Der Micron-Hauptsitz in Boise/Idaho ist nur etwa 450 US-Meilen vom Intel-Standort Hillsboro bei Portland/Oregon entfernt.
Sowohl Intel als auch Micron stecken zunächst jeweils 1,2 Milliarden US-Dollar (in bar und in Werten) in IM Flash Technologies. Innerhalb der nächsten drei Jahre sollen unter bestimmten Bedingungen noch jeweils weitere 1,4 Milliarden US-Dollar hinzukommen. Erste Produkte sollen ab 2006 aus den drei zunächst vorgesehenen Micron-Werken in Boise, Lehi/Utah und Manassas/Virginia kommen. Zur anfänglichen Strukturgröße äußert sich IM Flash nicht, es soll aber Intels Multi-Level-Cell- (MLC-)Technik (wie bei StrataFlash) zum Einsatz kommen. Die Partner wollen die Roadmap aggressiv über 72 Nanometer auf 50 Nanometer verfolgen, um zu günstigen Preisen fertigen zu können.
Schon gleich zu Beginn profitieren Intel und Micron von Apples Anstrengungen, sich optimale Chip-Preise für MP3-Player zu sichern: Von den 1,25 Milliarden US-Dollar, die Apple vorab an Samsung, Toshiba, Hynix, Intel und Micron zahlen will, streichen die beiden letztgenannten zusammen eine halbe Milliarde ein.
Die Veränderungen in Intels Flash-Portfolio haben auch personelle Konsequenzen: Zeichnete bisher der Ex-AMD-Mann Darin G. Billerbeck von der Mobil-Sparte verantwortlich, so sitzt jetzt der (bisher) im südenglischen Swindon ansässige Brian L. Harrison im Sattel und kümmert sich sowohl um die hauseigene NOR-Sparte als auch um den 49-Prozent-Anteil an IM Flash, Micron hält die restlichen 51 Prozent.
Vor wenigen Tagen hatte Intel auch neue StrataFlash-Chips mit 90-nm-Strukturen angekündigt: Diese M18-Bausteine sollen mit 256 und 512 MBit zu haben sein und in Stacked-Die-Packages auch mit 1 GBit Kapazität. (ciw)
