Micron bemustert DDR400-SDRAMs
Der US-Speicherhersteller Micron hat erste Muster von DDR400-SDRAMs an die taiwanische Firma Silicon Integrated Systemes (SiS) ausgeliefert.
Der US-Speicherhersteller Micron hat erste Muster von DDR400-SDRAMs an die taiwanische Firma Silicon Integrated Systemes (SiS) ausgeliefert. Laut SiS liefen die Micron-Chips problemlos mit dem angekündigten Chipsatz SiS648 für den Pentium 4.
Der 128-MBit-Chip (MT46V16M8, 16Mx8-Organisation) erreicht bei 200 MHz Zugriffslatenzen von 3 Takten (15 ns) für die CAS Latency CL und jeweils 4 Takten (20 ns) für RAS-to-CAS-Delay tRCD und die RAS Precharge Time tRP. Wegen des Double-Data-Rate-Verfahrens erreichen die aus DDR400-Chips aufgebauten PC3200-DIMMs eine theoretische maximale Datenübertragungsrate von 3,2 GByte/s. Die Zugriffslatenzen sind bei PC3200-30-4-4 in absoluten Zeiten gemessen nicht länger als die von PC2100-20-2-2-Bausteinen (133 MHz, also 7,5 ns Periodenlänge). Letztere sind aber noch nicht im Handel -- ebenso wenig wie PC3200-Module, die etwa 2003 in größeren Stückzahlen verfügbar sein sollen.
Etwas verwunderlich ist die von Micron für die Muster gewählte Chipkapazität von 128 MBit. Eigentlich geht der Trend zu größeren Kapazitäten -- laut Samsung sollen 256-MBit-Chips in diesem Jahr 60 Prozent Marktanteil erreichen. Auch auf der Micron-Roadmap sind für DDR333 (167 MHz) 256-MBit-Chips im verbesserten FBGA-Gehäuse vorgesehen. Die an SiS gelieferten Muster saßen noch im heute für DDR-SDRAM-DIMMs üblichen TSOP-Gehäuse. Die Micron-Roadmap liefert auch interessante Hinweise zur erwarteten Massenfertigung neuer SDRAM-Chips: DDR333-Chips sind für das 3. Quartal 2002 vorgesehen, die zum maximalen Speicherausbau vieler aktueller Chipsätze nötigen 512-MBit-Chips erst für das 4. Quartal 2002. 256-MBit-Chips im FBGA-Gehäuse mit 300 und 400 MHz Taktfrequenz für Grafikkarten (8Mx32) stehen bei Micron erst Ende 2003 auf dem Plan. (ciw)
