Micron und Samsung kooperieren beim Hybrid Memory Cube
Mit Samsung holt Micron den DRAM-Marktführer ins Boot, um eine Standard-Spezifikation für HMC-Speicher zu entwickeln.
Mit dem Hybrid Memory Cube (HMC) will Micron sehr viel leistungsfähigere Speichermodule möglich machen. Doch bislang hatten es proprietäre DRAM-Konzepte im hart umkämpften Markt stets schwer: Gegen die billige Massenware konnten sich nur wenige Ansätze durchsetzen, weshalb beispielsweise Virtual-Channel-, Direct-Rambus- oder Quad-Band-Memory scheiterten. Durch die Kooperation mit dem Konkurrenten und DRAM-Marktführer Samsung will Micron die Erfolgschancen von HMC verbessern.
Das HMC Consortium (HMCC) soll eine offene, standardisierte HMC-Schnittstelle spezifizieren. Kooperationspartner der HMCC-Gründer sind zunächst noch die FPGA-Spezialisten Altera und Xilinx sowie Open-Silicon. Auch Intel hat allerdings auf dem IDF schon einen HMC-Prototypen vorgeführt, der 121 GByte an Daten pro Sekunde übertrug – das liegt nahe am Zielwert von 1 TBit/s, also 128 GByte/s. Zum Vergleich: Aktuelle Server mit zwei CPU-Fassungen verfügen über sechs oder acht Speicherkanäle für DDR3-SDRAM. Bestückt mit PC3-10600-DIMMs aus DDR3-1333-Chips sind damit insgesamt rund 64 GByte/s bis 85 GByte/s erreichbar. (ciw)
