Motorola beherrscht neue Prozesstechnik
Auf BiCMOS-Wafer kann Motorola jetzt auch Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Strukturen (SiGe:C) einbauen.
Motorola hat einen neuen Prozessschritt in die Fertigungsanlagen für Hochfrequenz-Halbleiter integriert: Auf BiCMOS-Wafern lassen sich jetzt auch Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Strukturen (SiGe:C) einbauen. Die Nutzung von Kohlenstoff bietet Vorteile bei der Herstellung und der Rauscharmut der in diesem 0,35-µm-Prozess hergestellten Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBT) für Frequenzen oberhalb 45 GHz. Ein erstes Produkt mit einem solchen HBT soll bereits im Mai in Form eines rauscharmen Verstärkers (LNA) auf den Markt kommen.
Das SiGe:C-Verfahren wurde in Zusammenarbeit mit dem IHP in Frankfurt an der Oder entwickelt. Die dort geplante Halbleiterfabrik Communicant soll SiGe:C-BiCMOS-Halbleiter in einem 0,18-µm-Prozess herstellen. (ciw)
