Multigatter-Transistor im 45-nm-Prozess
Die frisch als Tochter des amerikanischen Sematech-Konsortium gegründete Firma Advanced Technology Development Facility (ATDF) führte einen Multi-Gate-Feldeffekt-Transistoren (MuGFET), gefertigt im 45-nm-Prozess, vor.
Die frisch als Tochter des amerikanischen Sematech-Konsortium gegründete Firma Advanced Technology Development Facility (ATDF) hat kurz nach ihrer Verselbstständigung ihre Entwicklungs- und Fertigungsfähigkeit unter Beweis gestellt. In Zusammenarbeit mit der Firma HPL aus San Jose konnte sie einen Multi-Gate-Feldeffekt-Transistoren (MuGFET), gefertigt im 45-nm-Prozess, vorführen.
Jedem Interessenten, ob Chiphersteller, Ausrüster oder Universität, stehe es jetzt frei, Prozess und Tools in Lizenz zu nehmen, so ATDF-Generalmanager Jürgen Wöhl. Vor allem aber soll der zukunftsweisende Multi-Gate-Transistor, der dereinst die CMOS-Technik ablösen könnte, jetzt gewissermaßen als Wakup-Call dienen, um die Industrie auf die in Austin, Texas beheimatete Firma mit ihren ingesamt 240 Mitarbeitern aufmerksam zu machen. Mit ihrem 5700 m2 großen Reinraum der Klasse 1 bietet sie diverse Dienstleistungen für Chipproduktionen auf 200- und 300-mm-Wafern an.
Sematech wurde 1986 auf Veranlassung des amerikanischen Staates gegründet, um als eine gemeinsame Entwicklungsplattform von ansonsten miteinander konkurrierenden Halbleiterfirmen zu dienen. Das Konsortium sollte vor allem unnötige Mehrfachausgaben bei den explosiv steigenden Entwicklungskosten vermeiden. Erster CEO war der Intel-Gründer Robert Noyce. Im Lauf der Zeit haben sich mehrere Tochtergesellschaften aus Sematech herausgelöst. Die Advanced Technology Development Facility war als eine Abteilung von Sematech seit mehr als zehn Jahren aktiv, bevor sie im Juli dieses Jahres verselbstständigt wurde.
Auch europäische Firmen nehmen inzwischen an solch kostensparenden Entwicklungsgemeinschaften teil. So haben sich etwa Infineon, Philips und STMicroelectronic sowie Intel und Samsung als Partner mit der belgischen IMEC zusammengetan, um gemeinsame Forschung im Bereich unterhalb von 45 nm zu betreiben. (as)
