Numonyx kündigt 1-GBit-NOR-Flash mit 45-nm-Strukturen an
2010 soll die Massenproduktion von NOR-Flash-Speicherchips mit 45-nm-Strukturen beim Joint Venture von Intel und STMicroelectronics anlaufen.
Die 45-Nanometer-Fertigungstechnik hält nun auch bei NOR-Flash-Speicherchips des Joint Ventures Numonyx von Intel und STMicroelectronics Einzug. Erste Muster aus der 45-nm-Fertigung sind nach Firmenangaben bereits verfügbar, die Großserienfertigung soll allerdings erst 2010 anlaufen.
Als maximale Speicherkapazität nennt Numonyx 1 Gigabit, also 128 MByte. Es handelt sich um einen Multi-Level-Cell-(MLC-)Chip, der in der StrataFlash-Baureihe für Mobiltelefone erscheinen soll und pinkompatibel ist zu den bisherigen 65-nm-Chips. Beim 45-nm-Bauelement kommt nach Firmenangaben eine technische Neuerung namens Self-Aligned Contact (SAC) zum Einsatz.
Der wichtigste Numonyx-Konkurrent Spansion, der zurzeit in wirtschaftlichen Schwierigkeiten steckt, hatte noch 2006 den Start der 45-nm-Produktion für 2008 angekündigt. Die 45-nm-Fertigung soll in der neuen 300-mm-Wafer-Fab SP1 im japanischen Aizu-Wakamatsu erfolgen; dort werden aber laut Spansion bisher erst 65-nm-MirrorBit-NOR-Flashes produziert. Gestern hat Spansion Japan Insolvenz angemeldet. (ciw)
