Qimonda kündigt DDR3-Speicher für Notebooks an
Die ehemalige Infineon-DRAM-Sparte Qimonda hat ein SO-DIMM für Notebooks mit DDR3-SDRAM-Chips entwickelt; erste Seriengeräte mit DDR3-Speicher werden 2007 erwartet.
Die ehemalige Infineon-DRAM-Sparte Qimonda hat den Prototypen eines DDR3-SO-DIMMs fertiggestellt und als Entwicklermuster an den Grafikchip- und PC-Chipsatz-Hersteller ATI ausgeliefert. DDR3-DIMMs waren bereits auf der Computex zu sehen; Samsung und Elpida hatten DDR3-Speicherriegel in anderen Formaten und einzelne Chips bereits vor längerer Zeit als Prototypen vorgestellt.
Die frühzeitige Präsentation neuer Speicher-Bauformen ist in der DRAM-Branche üblich, lässt aber keine Rückschlüsse auf die spätere Liefersituation zu: Fully-Buffered-DIMM-Prototypen etwa hatten einige Firmen bereits Ende 2004 fertig, aber dennoch gab es mit der Technik Anfang 2006 noch Probleme – die Massenfertigung startete bei manchen Firmen erst im Mai.
Nach Angaben von Qimonda sollen 2007 erste Notebooks erscheinen, die für die kompakten Small-Outline-DIMMs mit DDR3-Chips ausgelegt sind. DDR3-Chips sind eine Fortentwicklung der DDR2- beziehungsweise letztlich DDR-SDRAM-Bausteine: Alle übertragen jeweils zwei Datensignale pro Taktzyklus, erreichen aber unterschiedlich hohe Schnittstellen-Taktfrequenzen und Maximal-Kapazitäten und arbeiten mit unterschiedlichen Versorgungs- und Signalspannungen. Durch geschickte interne Organisation (mehrere Bänke, zusätzliche Pufferstufen) wird das so genannte Prefetching möglich: Pro Taktzyklus lesen DDR-SDRAMs jeweils zwei, DDR2-SDRAMs jeweils vier und DDR3-SDRAMs jeweils acht interne Speicherzellengruppen gleichzeitig aus und geben diese Daten dann Taktflanke für Taktflanke nacheinander an ihren Anschlüssen aus. Dieser Trick ermöglicht die Steigerung der Taktfrequenz des Speicherbus, die bei DDR zwischen 100 und 200 MHz (DDR200, DDR266, DDR333, DDR400), bei DDR2 zwischen 200 und 400 MHz (DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800) und bei DDR3 zwischen 400 und 800 MHz (DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR2-1600) liegen soll. Dadurch steigt auch die maximale theoretische Datentransferrate bei Burst-Transfers über einen Speicherkanal mit 64 Signalleitungen: Von 1,6 GByte/s (DDR200/PC1600) über 3,2 GByte/s (DDR400 und DDR2-400/PC3200 und PC2-3200) und 6,4 GByte/s (DDR2-800 und DDR3-800/PC2-6400 und PC3-6400) auf 12,8 GByte/s (DDR3-1600, möglicherweise dann PC3-12800 genannt).
Nicht nur die Schritt für Schritt schrumpfenden Strukturgrößen der Halbleiter-Baulemente ermöglichen dabei gleichzeitig wachsende Speicherkapazitäten, sondern dazu trägt auch die sinkende Betriebsspannung bei, die auch das Taktfrequenz-Wachstum begünstigt – PC3200-Speichermodule aus DDR400-Chips benötigen bei 2,6 Volt Betriebsspannung deutlich mehr Leistung als deutlich schnellere PC2-4200-DIMMs aus DDR2-533-Chips mit 1,8 Volt. DDR3-SDRAMs sollen mit 1,5 Volt laufen. Während DDR-SDRAMs mit maximal 1 GBit von der Industrievereinigung JEDEC spezifiziert wurden, sind DDR2-Chips mit bis zu 4 GBit angedacht und DDR3-Chips mit bis zu 8 GBit projektiert. Auch die minimale Kapazität steigt mit jeder Generation: DDR2-SDRAMs beginnen mit 256 MBit, bei den DDR3-Chips geht es erst mit 512 MBit los.
Die Latenzzeiten wachsen übrigens – anders als oft behauptet – nicht überproportional mit zunehmender Schnittstellen-Taktfrequenz: Die relativen Zugriffs-Latenzzeiten muss man noch mit der jeweiligen Taktzyklusdauer multiplizieren, um die für Performance-Vergleiche relevanten Absolutwerte zu erhalten. (ciw)
