SK Hynix stapelt über 300 Speicherlagen in einem einzigen Chip
SK Hynix hat als erster Speicherhersteller die nächste NAND-Flash-Generation angekündigt. Die Speicherdichte übersteigt erstmals 20 Gbit pro Quadratmillimeter.
(Bild: SK Hynix)
Das Wettrennen um immer mehr Speicherlagen in NAND-Flash-Chips nimmt auch in den nächsten Jahren kein Ende. SK Hynix hat einen Ausblick auf seine kommende auf seine V9-Generation gegeben, die erstmals die 300er-Schwelle übersteigen wird: 321 Lagen sollen es werden. Die aktuelle V8-Generation stapelt dagegen 238 Lagen.
Ein einzelner Chip fasst ein Terabit; jede Zelle speichert dabei drei Bit (Triple Level Cells, TLC). Die Ankündigung erfolgt zur aktuell laufenden Messe Flash Memory Summit. Technische Details gab es schon in einem Paper zur International Solid-State Circuits Conference (ISSCC).
Höchste Speicherdichte
Demnach erhöht SK Hynix die Speicherdichte auf mehr als 20 Gigabit pro Quadratmillimeter Chipfläche. Verglichen mit der aktuellen Generation ist das herstellerübergreifend eine deutliche Verbesserung: Die dichtesten NAND-Flash-Chips kommen derzeit auf 15 GBit/mm², etwa von Micron.
Im Umkehrschluss ist ein solcher SK-Hynix-Chip maximal 50 mm² groß. Für ein 1-TByte-Baustein packt der Hersteller acht Speicherchips übereinander. Mit einem Flächenbedarf von 50 mm² sollte so ein Baustein auch in Micro-SD-Karten passen.
Höhere Schreibrate
Zumindest in der aktuellen Entwicklungsphase will SK Hynix die Speicherbausteine mit einer Geschwindigkeit von 2400 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) an den Controller koppeln. So schnell ist auch das Interface bei der aktuellen V8-Generation mit 238 Speicherlagen.
Trotzdem sollen die Chips durch interne Verbesserungen höhere Schreibwerte erreichen. Der Hersteller spricht von 194 statt 164 MByte/s. Ein typischer Baustein mit 16 übereinandergestapelten Chips und somit 2 TByte Kapazität käme folglich auf etwa 3,1 GByte/s. Eine höhere Schreibgeschwindigkeit schafft NAND-Flash typischerweise mit einem dynamischen SLC-Cache, der ein Bit pro Zelle speichert (Single Level Cells).
Bis zur Serienproduktion dauert es allerdings noch – erst im ersten Halbjahr 2025 soll sie anlaufen. Aktuell fährt SK Hynix die Produktion seiner V8-Generation hoch. Diese benötigt der Hersteller für besonders schnelle PCI-Express-5.0-SSDs, die mehr als 10 GByte/s schaffen.
Rechnung zur Schreibgeschwindigkeit korrigiert.
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(mma)