Samsung fertigt 64-Gigabyte-DDR4-RDIMM mit TSV-Stacks
Für die bald erwarteten Haswell-Xeons beginnt Samsung jetzt mit der Fertigung von Registered DIMMs, die dank neuartiger Chip-Stapel-Technik eine besonders hohe Kapazität erreichen.
(Bild: Samsung)
Die Spezifikation von DDR4-SDRAM berücksichtigt bereits die besonderen Vorteile von Through-Silicon Vias (TSV): Damit sind leitende Verbindungen durch das Silizium hindurch gemeint, um mehrere übereinanderliegende Silizium-Dice auf leistungsfähige Art zu verbinden. Im Vergleich zur bisherigen Stacking-Technik etwa mit Bond-Drähten sind kürzere und viel mehr Leitungspfade realisierbar, auch die thermischen Eigenschaften lassen sich optimieren. TSV kommt aber erst allmählich in der Großserienfertigung zum Einsatz, der Aufwand für die vertikalen Verbindungkanäle ist offenbar erheblich.
Samsung lötet auf das Registered DIMM (RDIMM) mit der Typenbezeichnung M393A8G40D40-C nun 36 DDR4-SDRAM-Stacks mit je 16 Gigabit Kapazität. Jeder Stack besteht aus vier per TSV verbundenen 4-GBit-Dice. Zieht man die vier Stacks für redundante ECC-Informationen ab, bleiben 64 GByte Nutzkapazität übrig.
(Bild: Samsung)
Bisher kann anscheinend noch keiner der wenigen verbliebenen DRAM-Hersteller überhaupt 64-GByte-DDR4-Module in größeren Mengen liefern, sondern nur in Musterstückzahlen und in Form von Load-Reduced -Modulen (LRDIMMs). Diese haben aber etwas höhere Latenzen als RDIMMs, daher bietet die TSV-Bauform konkrete Vorteile. Mit 8-GBit-SDRAM-Dice oder als LRDIMMs können künftig 128-GByte-Module möglich werden.
Unklar ist noch die Taktfrequenz; auf dem Pressefoto steht die Produktbezeichnung M393A8G40D40-CRB, wobei die beiden letzten Buchstaben für den "Speed Grade" stehen. Der DDR4 SDRAM Product Guide von Samsung erläutert allerdings nur die Geschwindigkeitsklassen PB (DDR4-2133, 1066 MHz) und RC (DDR4-2400, 1200 MHz). (ciw)
