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Samsung verspricht SSD mit 3D-V-NAND noch im Juli

Christof Windeck

An Direktkunden verkauft Samsung angeblich schon länger Solid-State Disks aus Flash-Chips mit vertikal orientierten NAND-Flash-Zellen und mehrlagigem Aufbau: sie sollen unter anderem robuster sein.

Schon im August vergangenen Jahres hatte Samsung den Beginn der Serienfertigung eines neuen NAND-Flash-Speichertyps verkündet: 3D V-NAND [1]. Dabei sind die einzelnen Flash-Speicherzellen nicht mehr planar, sondern vertikal ausgeführt. Dabei optimiert Samsung auch die Robustheit der Zellen, sie sollen mehr Schreib-/Löschzyklen verkraften als beispielsweise 19-nm-MLC-Flashes. Dass die einzelnen V-NAND-Zellen mehr Platz belegen, kompensiert Samsung durch einen mehrlagigen Aufbau des monolithischen Flash-Die. Letztlich verspricht 3D-V-NAND also höhere Kapazität und größere Widerstandsfähigkeit gegen Überschreiben zugleich.

Samsung SSD 850 Pro

Samsung SSD 850 Pro mit 3D-V-NAND-Flash-Chips.

(Bild: Samsung)

Nach eigenen Angaben liefert Samsung SSDs aus 3D-V-NAND-Chips schon seit geraumer Zeit aus und hat auf der Computex Anfang Juni sogar schon die zweite Generation von 3D-V-NAND-Chips angekündigt. Doch bislang fanden sich keine damit bestückten SSDs im Einzelhandel. Das soll sich noch im Verlauf des Juli mit der SSD 850 Pro [2] ändern, die es mit 128, 256, 512 GByte und 1 TByte Kapazität geben soll. Samsung verspricht bis zu 100.000 IOPS beim Lesen und 90.000 IOPS beim Schreiben sowie Datentransferraten von 550 MBytes/s beim sequenziellen Lesen (520 MByte/s beim Schreiben). Leider verrät Samsung aber noch keine Preise.

3D V-NAND Flash Cell Samsung

Aufbau einer 3D-V-NAND-Flash- Zelle laut Samsung; 32 davon sind in den aktuellen Chips übereinandergestapelt.

(Bild: Samsung)

In der SSD 850 Pro scheint die zweite Generation von3D-V-NAND-Flashes mit 32 Lagen zum Einsatz zu kommen; bei der ersten Generation war im Sommer 2013 von 24 Lagen die Rede. Bei der SSD 850 Pro hat Samsung auch einen Überhitzungsschutz eingebaut: Wird es in der SSD zu warm, drosselt sie die Zugriffe. Ob das nur beim Schreiben oder auch beim Lesen auftritt, erwähnt Samsung nicht. Laut den Garantiebedingungen auf der Webseite [3] gewährt Samsung 10 Jahre Garantie, wenn insgesamt nicht mehr als 150 Terabyte geschrieben wurden (150 TBW, Terabytes Written).

Auf der Computex hatte Samsung auch eine neue "Datacenter"-(DC-)Version der SSD 840 mit TLC-NAND-Flashes angekündigt, die SSD 845DC Evo. Dabei scheint es sich aber um Varianten der schon zuvor angekündigten PM853T [4] (PDF-Datei) zu handeln, darauf deuten jedenfalls die Typennummern hin, (ciw [5])


URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-2243686

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[1] https://www.heise.de/news/Samsung-kuendigte-zweite-Generation-3D-V-NAND-SSDs-an-2211370.html
[2] http://www.samsung.com/850pro
[3] http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/global/html/ssd850pro/warranty.html
[4] http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/file/media/PM853T.pdf
[5] mailto:ciw@ct.de