SanDisk und Toshiba kooperieren bei Flash-Speicherchips
Der Flash-Speicher-Spezialist SanDisk und Toshiba bestätigen, 2009 mit dem Bau einer gemeinsamen Fabrik für die Produktion von NAND-Flashes auf 300-Millimeter-Wafern beginnen zu wollen.
Die japanische Presse hatte es bereits vorab gemeldet, nun haben SanDisk und Toshiba die Pläne für eine gemeinsame Fabrik bestätigt, die ab 2010 NAND-Flash-Speicherchips auf Silizium-Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser fertigen soll.
Anders als zuvor erwartet ist eine genaue Standortentscheidung offenbar noch nicht gefallen. Klar ist jedoch, dass Toshiba zwei neue Chipwerke bauen will, wobei sich SanDisk an einem dieser beiden Werke beteiligt. Laut Toshiba soll eine der beiden Fabs im nordjapanischen Kitakami (Präfektur Iwate) entstehen, wo bereits die Toshiba-Tochterfirma Iwate Toshiba Electronics Company sitzt. Die andere Fab soll neben den vier bereits laufenden NAND-Flash-Werken von Toshiba in Yokkaichi (Präfektur Mie) entstehen. Eines der beiden neuen Halbleiterwerke soll NAND-Flash-Speicherchips herstellen und später wahrscheinlich auch neuartige Speichertypen, die andere Fab soll die allgemeine Fertigungskapazität von Toshiba steigern.
Dem Joint Venture mit SanDisk soll 50 Prozent der Fertigungskapazität des neuen NAND-Flash-Werks zugeordnet werden, dessen Bau 2009 beginnen soll. Von den restlichen 50 Prozent der Fertigungskapazität reserviert sich SanDisk wiederum 50 Prozent im Rahmen eines Zuliefervertrages mit Toshiba. Über die restlichen 25 Prozent der Fertigungskapazität verfügt Toshiba.
SanDisk sucht offenbar einen optimalen Kompromiss zwischen der Höhe der Investitionen und der Sicherung einer ausreichenden Fertigungskapazität. SanDisk und Toshiba kooperieren seit einigen Jahren bei der Entwicklung und Produktion von NAND-Flash-Speicher, doch SanDisk arbeitet auch mit Hynix zusammen. Es wird erwartet, dass SanDisk auch mit Hynix eine Fertigungskooperation eingeht. (ciw)
