Toshiba will rund 6,6 Milliarden US-Dollar in NAND-Flash-Chipfabrik stecken
Dank der zusätzlichen Fertigungskapazitäten könnte Toshiba den Martkführer Samsung Electronics überholen.
Die Chipsparte des japanischen Konzerns Toshiba will nahe der nordjapanischen Stadt Kitakami ein großes Werk bauen, das NAND-Flash-Speicherbauelemente produziert. Schon 2009 soll die Fab die Produktion aufnehmen, dann soll die gesamte NAND-Flash-Fertigungskapazität von Toshiba von zurzeit rund 410.000 "Wafer Starts" monatlich (gerechnet in 300-mm-Wafern) auf über 600.000 wachsen.
Mit dieser Fertigungskapazität könnte Toshiba den NAND-Flash-Marktführer Samsung aus Südkorea überholen, schätzt die japanische Zeitung Asahi Shimbun, die auch über das geplante Werk berichtet. An dem neuen Werk soll auch Toshibas NAND-Flash-Partner SanDisk beteiligt sein. Eine offizielle Ankündigung wird in den nächsten Wochen erwartet.
Der Markt der NAND-Flash-Speicherchips verhält sich immer ähnlicher wie jener der voll standardisierten und deshalb leicht untereinander austauschbaren DRAM-Bauelemente, der enormen periodischen Schwankungen (Schweinezyklus) unterworfen ist. Auch bei NAND-Flashes, die mittlerweile in MP3-Spielern, USB-Sticks, Handys oder Digicam-Speicherkarten allgegenwärtig sind, gibt es deshalb unsauberes Geschäftsgebaren und in jüngster Zeit sogar Produktfälschungen. Der NAND-Flash-Markt dürfte noch enorm wachsen, weil die Chips nun auch in Solid State Disks (SSDs) oder Videokameras zum Einsatz kommen. Zunehmende Standardisierung (ONFI) und Lizenzabkommen (wie zwischen Samsung und Toshiba) dürften aber den Kostendruck bei NAND-Flash noch erheblich steigern, sodass nur die größten Hersteller mit riesigen Fabs billig genug produzieren können. MLC-NAND-Flashes belegen nur einen Bruchteil der Fläche von DRAM-Chips, doch noch kostet das Gigabyte MLC-NAND-Flash-Speicher mindestens das 20-fache wie bei magnetischen Festplatten.
Toshiba hat früher auch DRAM produziert, und zwar mit der gemeinsam mit IBM und Siemens Halbleiter (später Infineon, jetzt Qimonda) entwickelten Trench-Technik. 1999 übernahm Toshiba die 1995 als Jointventure mit IBM gegründete Fab Dominion in Manassas/Virginia, verkaufte sie aber bereits Anfang 2002 an Micron; damals befand sich der DRAM-Markt (wie zurzeit) in einer Abschwungphase und Toshiba stieg aus dem DRAM-Geschäft aus. Auch andere japanische Chiphersteller verlagerten ihr DRAM-Geschäft damals in eine unabhängige Sparte, nämlich NEC und Hitachi – daraus wurde der heute viertgrößte DRAM-Hersteller Elpida.
Schon die Dominion-Fab fertigte auch Flash-Speicherchips, und zwar in Kooperation mit SanDisk. Das gemeinsame Jointventure Flash Alliance Limited hat in den letzten beiden Jahren die Fertigungsanlagen der 300-mm-Fab 4 in Yokkaichi finanziert, die Ende 2008 ihre volle Kapazität von monatlich 67.500 Wafer Starts erreichen soll. SanDisk kooperiert allerdings auch mit Hynix, die beiden wollen ein Jointventure für eine NAND-Flash-Fab in der Schweiz gründen. (ciw)
