Toshiba und SanDisk starten planmäßig mit neuer Flash-Fabrik
Wie im April angekündigt, haben die beiden IT-Konzern mit dem Bau ihrer zweiten gemeinsamen Fertigungsanlage für NAND-Flash im japanischen Yokkaichi begonnen. Die Produktion soll Ende 2007 starten.
Fab 4 wird die neue Produktionsanlage heißen, die der japanische Elektronikkonzern Toshiba und der US-Hersteller SanDisk im Toshiba-Werk Yokkaichi in der japanischen Zentralprovinz Mie gemeinsam erstellen. Planmäßig kündigten beide Unternehmen nun den Baubeginn der Anlage für 300-mm-Wafer an, die ab Ende 2007 NAND-Flash-Speicher für beide Hersteller produzieren soll. Ziel ist es, der steigenden Nachfrage für NAND gerecht werden zu können. Schätzungen zufolge soll sich der Markt bis 2008 auf mehr als zwei Billionen Yen (13,9 Milliarden Euro) gegenüber 2005 verdoppeln. Laut iSuppli ist Toshiba in diesem Segment weltweit die Nummer 2 hinter Samsung.
Im April hatten Toshiba und SanDisk angekündigt, ihre Kooperation in der NAND-Fertigung um eine weitere Produktionsanlage zu ergänzen. Im Sommer 2005 hatte die Kooperation mit der Fab 3 im Toshiba-Werk begonnen. Die Fertigungskapazitäten von Fab 4, für deren Errichtung bis 2008 rund 300 Milliarden Yen (rund 2 Milliarden Euro) veranschlagt sind, werden sich die beiden Hersteller gleichmäßig teilen.
Den Bau der Fabrik finanziert Toshiba, die Produktionsanlagen bezahlt die Flash Alliance Ltd., ein im Juli 2006 gegründetes Joint Venture, an dem Toshiba mit 50,1 und SanDisk mit 49,9 Prozent beteiligt sind. Zum Produktionsstart Ende 2007 soll die Anlage monatlich 2500 Wafer fertigen und dabei bereits 65-nm-Technik verwenden. Sukzessive soll der Ausstoß binnen 12 Monaten auf eine Rate von 67.500 Wafern erhöht werden. (map)
