iPhone-6-Abstürze: Apple will angeblich auf TLC-NAND verzichten
Im 128-GByte-iPhone soll einem Bericht zufolge ab sofort in Multi-Level-Cell-Technik gefertiger Flash-Speicher zum Einsatz kommen. Die bisher verwendeten Triple-Level-Cell-Flashes können offenbar zu Problemen führen.
Manche Nutzer des 128-GByte-Modells berichten über häufige Abstürze
(Bild: dpa, Christoph Schmidt)
Apple hat sich nach einem Bericht von BusinessKorea dazu entschieden, keine in Triple-Level-Cell-Technik (TLC) gefertigte NAND-Flash-Speicherchips mehr für iPhone 6 und iPhone 6 Plus einzusetzen. Manche Nutzer der Geräte mit 64 und 128 GByte Speicherplatz klagen über plötzlich auftretende Abstürze – insbesondere, wenn viele Apps installiert sind oder der Speicherplatz anderweitig belegt ist.
Bei Triple-Level-Cell-Chips werden 3 Bits pro Zelle gespeichert statt 2 bei Multi-Level-Cell (MCL) – dies verringert die Fertigungskosten. Das Problem liegt angeblich in dem von Anobit stammenden Controller des TLC-NAND-Speichers. Der iPhone-Hersteller hat den israelischen Flash-Spezialisten Ende 2011 übernommen.
Dem Bericht zufolge will Apple nun für alle 64- und 128-GByte-Modelle von iPhone 6 und iPhone 6 Plus auf MLC-NAND-Flash setzen, sie würden bereits im 16-GByte- und manchem 64-GByte-Gerät zum Einsatz kommen. Bestehende Probleme auf iPhones mit TLC-Flashes solle zudem iOS 8.1.1 ausräumen, schreibt das südkoreanische Wirtschaftsmagazin.
Nach Informationen von 9to5Mac tritt diese spezifische Absturzproblematik äußerst selten auf und Apple sei sich des Problems bewusst – ein Zusammenhang mit dem verwendeten Flash-Speicher sei aber "reine Mutmaßung und falsch". (lbe)
