6. V-NAND-Generation: Neue Samsung-SSDs in den Startlöchern
Samsung produziert seinen ersten NAND-Flash mit ĂĽber 100 Speicherlagen. Die Chips sind schneller, sparsamer und leichter in SSDs zu verarbeiten.
Samsung bietet eine erste SSD fĂĽr Komplett-PC-Anbieter an, die den hauseigenen V-NAND-Flash-Speicher der sechsten Generation nutzt. Mit dem Wechsel von der fĂĽnften auf die sechste V-NAND-Generation geht Samsung den Schritt von 96 auf 136 Speicherlagen.
Der Hersteller nennt eine 10-prozentige Steigerung der Leistung bei einer gleichzeitigen Senkung der Leistungsaufnahme um 15 Prozent, was durch Verbesserungen bei der Verbindung zwischen den einzelnen Speicherlagen zustande kommt.
Samsung selbst spricht von einer MarktfĂĽhrung bei der reinen Geschwindigkeit, erkauft sich diese, verglichen mit der Konkurrenz, aber mit einer geringeren Speicherdichte.
Vorerst mit 256 GBit
Eine Zelle speichert derweil drei Bit (Triple Level Cell, TLC). Ein Chip mit "1xx" Lagen erreicht eine Speicherkapazität von 256 Gigabit – womöglich baut Samsung eine Redundanz auf Chipebene ein, sodass nicht immer alle 136 Lagen genutzt werden.
Die Anzahl der benötigten Durchkontaktierungen zur Verbindung sinkt um beinahe ein Drittel, was laut Samsung die Produktion vereinfacht. Zudem soll die neue Technik das Stapeln mehrerer V-NAND-Chips zu einem noch größeren Package simpler gestalten. Konkret spricht Samsung von dreifachen Ausführungen mit dann 768 Gigabit Kapazität.
Produktionserweiterung ab 2020
Den Anfang macht eine 250 Gigabyte kleine SATA-SSD für OEMs. Ein größeres Modell mit dem V-NAND der sechsten Generation soll bis zum Jahresende folgen. Die meisten Produkte mit dem neuen Flash-Speicher dürften jedoch 2020 erscheinen.
Samsung möchte nächstes Jahr die Produktion mit schnelleren und größeren Speicherchips ausweiten, um der Nachfrage gerecht zu werden – vielleicht dann auch in Form von SSDs mit PCI-Express-4.0-Anbindung. (mma)