Speicherchip-Entwickler FMC arbeitet weiter auf Halbleiter-Fab bei Magdeburg hin

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Das 2016 in Dresden gegründete Unternehmen FMC entwickelt ferroelektrische Speicherchips. FMC konnte weitere 100 Millionen Euro Finanzierung einwerben und stellt zwei erfahrene Führungskräfte ein. Dr. Raj Jammy soll als Chief Technology Officer (CTO) die Entwicklung der FeRAM-Technik zu serienreifen Speicherchips namens DRAM+ und Cache+ vorantreiben.

Norm Armour arbeitet als Chief Operating Officer (COO) unter anderem an den Plänen zum Bau einer FMC-Chipfabrik im Industriegebiet Sülzetal bei Magdeburg.

Bisher gibt es noch keine Speicherchips mit ferroelektrischen Zellen von FMC. Die nichtflüchtige und sowohl sparsame als auch schnelle FMC-Speichertechnik auf Basis von Hafniumoxid lässt sich bisher nur als Funktionsblock in andere Chips integrieren, also als eingebetteter Speicher (Embedded Memory). Dabei kooperiert FMC mit Globalfoundries.

Speicher-Chipfabrik in Sachsen-Anhalt

FMC sieht aber auch einen Markt für FeRAM-Chips und hatte im Sommer 2025 Pläne für eine eigene Chipfabrik (Fab) im High-Tech Park Sachsen-Anhalt verkündet. Diese stehen aber unter dem Vorbehalt der Finanzierung. FMC bewirbt sich um Fördermittel, hat aber auch zahlreiche Investitionspartner wie Bosch, Merck M.Ventures und das belgische Forschungsinstitut Imec.

Die Teilfläche Sülzetal des High-Tech Park Sachsen-Anhalt grenzt unmittelbar an das vier Quadratkilometer (400 Hektar) große Gelände „Eulenberg“, das Intel für den mittlerweile abgesagten Bau von eigenen Chipfabriken gekauft hatte. Die Stadt Magdeburg erwägt einen Rückkauf dieser Fläche, berichtete der MDR im Dezember 2025.

Qimonda-Erbe

Die ferroelektrische Speichertechnik von FMC wurde unter anderem an der TU Dresden entwickelt. Wesentliche Ideen gehen auf das Nanoelectronic Materials Laboratory (Namlab) zurück, an dem die 2009 gescheiterte DRAM-Firma Qimonda beteiligt war.

Genaue technische Eckdaten der geplanten Speicherchiptypen verrät FMC bisher nicht öffentlich, etwa die genaue Größe der einzelnen Speicherzellen oder die Kapazität und Taktfrequenz respektive Datentransferrate der kommenden Bauelemente. Früher hatte FMC die eigene Speicherzelle auch als FeFET bezeichnet, also als ferroelektrischen Feldeffekttransistor.

Ferroelektrische Speicherchips gibt es schon seit Jahrzehnten. Bisher konnten sich in den größten Absatzmärkten keine Alternativen zu DRAM und NAND-Flash etablieren. Einzelne DRAM-Chips fassen mittlerweile bis zu 32 Gigabit (4 GByte), NAND-Flash-Chips mit mehreren Hundert Lagen bis zu 2 Terabit (256 GByte). HBM4-Speicherstapel mit Tausenden Datenleitungen sollen Transferraten von mehr als 2 TByte/s erreichen.

2023 hatte das US-Unternehmen Micron auf der Fachkonferenz IEEE IEDM 2023 ein ferroelektrisches „NVDRAM“ mit 32 Gigabit beschrieben. Intel wiederum hatte auf dem IEDM 2021 eine FeRAM-Zelle präsentiert.

Mehrere Firmen arbeiten außerdem an unterschiedlichen ReRAM-Verfahren, darunter Weebit Nano. Die Firma Everspin liefert weiterhin MRAM, allerdings weiterhin mit maximal 32 Megabit vor allem für spezielle Anwendungen wie etwa Weltraum-Elektronik. 2002 hatten NEC und Toshiba noch erwartet, MRAM ab 2005 mit 256 Megabit liefern zu können.

(ciw)