Samsung nimmt größte DRAM-Fab in Betrieb
Das neue Chipwerk Line-16 in Hwaseong ist laut Samsung die weltweit größte Speicherchip-Fab für DRAM und NAND-Flash.
Samsung ist schon seit Jahren Weltmarktführer sowohl bei (DDR-)SDRAM-Speicherchips als auch bei NAND-Flash. Nun weitet das koreanische Unternehmen seine Produktionskapazität mit der "Line-16" in Hwaseong, südlich von Seoul, weiter aus. Schon seit August läuft die Produktion von DDR3-SDRAMs mit Strukturbreiten der "20-Nanometer-Klasse", gleichzeitig wird die Fertigung von NAND-Flash-Chips hochgefahren. Bis zu 10.000 Wafer pro Monat sollen auf die nichtflüchtigen Flash-Speicher entfallen, die in Tablets, Smartphones, Solid-State Disks, USB-Sticks und Speicherkarten stecken.
Die geplante Fertigungskapazität des zwölfstöckigen und umgerechnet rund 7,6 Milliarden Euro teuren Werks soll im Laufe der Zeit auf maximal 200.000 (300-Millimeter-)Wafer pro Monat ausgebaut werden. Jüngere DRAM-Fabs des japanischen Konkurrenten Elpida in Hiroshima verarbeiten über 50.000 Wafer monatlich.
Bis zum Jahresende will Samsung auch mit der Produktion von 4-Gigabit-Chips der 20-Nanometer-Klasse beginnen. Auch Elpida hat angekündigt, die Entwicklung von 4-GBit-Chips mit 25-Nanometer-Strukturen abgeschlossen zu haben. Aus 4-GBit-Chips lassen sich ungepufferte (U)DIMMs und SO-DIMMs mit bis zu 8 GByte Kapazität aufbauen sowie QR-RDIMMs oder LR-DIMMs mit bis zu 32 GByte. (ciw)
