Auch Samsung produziert Flash-Chips mit 16 GByte
Nach Micron/Intel und Toshiba/Sandisk meldet nun auch Samsung die Serienfertigung von NAND-Flash-Bauelementen, die per Triple-Level-Cell-Technik eine Kapazität von 128 Gigabit erreichen.
Dank eines Fertigungsverfahren für Strukturbreiten der "10-Nanometer-Klasse" und Triple-Level-Cell-Technik kann Samsung nun NAND-Flash-Chips mit 128 Gigabit beziehungsweise 16 GByte Kapazität herstellen. Anders als der eher für USB-Sticks oder Digicam-Speicherkarten gedachte TLC-Chip von Micron zielt Samsung nach eigenen Angaben auch auf Solid-State Disks und Embedded-Speichermodule, vermutlich also eMMC oder UFS. In solchen kompakten Speicherchips stecken Multi-Die-Stacks; Samsung plant bis zu 128 GByte Kapazität, also acht Chips übereinander.
Ein ähnliches Produkt fertigt Toshiba nach eigenen Angaben bereits seit Ende 2011. Laut Toshiba kommt dabei 19-nm-Technik zum Einsatz und die Die-Fläche beträgt 170 Quadratmillimeter. Micron erwähnte 20-nm-Technik und 146 Quadratmillimeter. Samsung macht leider keine präzisen Angaben und klassifiziert die Fertigungstechnik auch nicht genauer – ob sie nun näher an 20 oder an 10 Nanometer liegt, bleibt offen. Vielleicht bekommen ja Reverse-Engineering-Spezialisten wie Chipworks oder Techinsights mehr heraus. Leider veröffentlichen die wenigen Hersteller aktueller NAND-Flash-Chips keine Datenblätter mehr, diese bekommen nur noch Entwicklungspartner unter Geheimhaltungsvereinbarung (NDA).
Die neuen Samsung-Chips verwenden als externe Schnittstelle "Toggle DDR 2.0" mit bis zu 200 MHz, also 400 Megatransfers pro Sekunde.
SSDs mit TLC-Chips sind bereits im Handel erhältlich, etwa die SSD 840 von Samsung selbst. Dank spezieller Controller mit ausgefeilten Wear-Leveling- und ECC-Algorithmen sowie der hohen Kapazität, also einer enormen Anzahl bereitstehender Zellen, können auch solche SSDs gute Performance liefern. (ciw)
