ASML und TSMC melden Erfolg bei der EUV-Lithografie
TSMC ist es im Testbetrieb mit dem ASML-Lithografiesystem Twinscan NXE:3300B EUV gelungen, innerhalb von 24 Stunden mehr als 1000 Wafer zu belichten; mit diesem Durchsatz rückt die Rentabilität der EUV-Lithografie näher.
Wafer-Lithografiesystem ASML TwinScan NXE:3100
(Bild: ASML)
Seit Jahren entwickelt die Halbleiterbranche mit gewaltigem Aufwand Lithografiesysteme, die feinste Strukturen mit extrem kurzwelligem UV-Licht (EUV) abbilden. Weil die Strahlungsquellen bisher schwach sind und die Masken einen großen Teil des Lichts schlucken, dauert die Belichtung aber noch deutlich länger als bei der bisherigen Lithografie mit Argonfluorid-(ArF-)Excimer-Lasern mit 193 nm Wellenlänge.
Der Einsatz von EUV-Lithografie hat sich immer wieder verzögert, unter anderem auch wegen der zu langen und damit unwirtschaftlichen Belichtungsdauer. Nun melden der weltgrößte Chip-Auftragsfertiger TSMC und ASML, der führende Hersteller von Lithografiesystemen für die Chipindustrie, einen Erfolg: Ein für EUV-Lithografie umgerüsteter Twinscan NXE:3300B hat es mit einer 90-Watt-Strahlungsquelle erstmals geschafft, 1022 Wafer innerhalb von 24 Stunden zu belichten.
Vor rund vier Jahren hatte ASML freilich gemeldet, dass damalige Twinscan-Systeme mehr als 4000 Wafer in derselben Zeit schafften. So gesehen ist EUV-Lithografie noch ein Stück von der Praxis entfernt. Die Branche denkt aber etwa über Konzepte nach, bei denen EUV-Licht nur die kritischsten Strukturen belichtet und andere Schritte weiter mit 193-nm-Immersionslithografie (193i) erfolgen. (ciw)
