Chipfertigung auf 450-mm-Wafern ab 2012
Intel, Samsung und TSMC wollen ab 2012 Halbleiter auf Siliziumscheiben mit 45 cm Durchmesser fertigen.
Die drei Halbleiterfirmen Intel, Samsung und TSMC wollen zeitgleich – im Jahr 2012 – ihre Fabriken auf 450-mm-Wafer umstellen. Ganz überraschend kommt die Ankündigung des gemeinsamen Termins nicht: Schon Ende 2006 hatte das Industriegremium International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), das sich mit der Koordination der Halbleiterentwicklung befasst, auf einer Tagung die Probleme des Termins 2012 diskutiert. Diesen nennt ITRS bereits in jeder Executive Summary seit 2005.
Der Executicy Summary der ITRS soll den beteiligten Firmen (Chip-Hersteller, Wafer-Produzenten, Anlagenbauer, Fabrikausrüster, Lieferanten von Fotolacken und Masken, Programmierern von Chip-Design-Software) die Koordination ihrer Arbeiten erleichtern. Schon Ende 2006 war klar, dass man mit 2012 ein Jahr hinter dem Erfahrungswert für die Einführung größerer Wafer liegen würde.
Historisch stand ein solcher Schritt alle 9 bis 11 Jahre an. Etwa seit der Jahrtausendwende sind Anlagen zur Verarbeitung von 300-Millimeter-Wafern entstanden, auf denen viele der heute meistverkauften Chips wie Mikroprozessoren, DRAM- und Flash-Speicherchips entstehen. Viele Fabs verarbeiten aber heute auch noch Siliziumscheiben mit 200 Millimetern Durchmesser und darunter.
Von einem gemeinsamen Zeitplan erhoffen sich die Firmen niedrigere Kosten und bessere Verfügbarkeit von Maschinen und anderer Infrastruktur. Um eben diese bemüht sich auch das Konsortium Sematech, das neben 450-mm-Prozessen auch an Lithografie-Verfahren forscht. Sematech gehört übrigens auch AMD an, für die wiederum TSMC Grafikchips herstellt. (bbe)
