Entwicklung der 193-Nanometer-Immersions-Lithografie im Plan
Halbleiter-Fertigungsexperten sind der Meinung, dass die Entwicklung der Anlagen zur Herstellung von Chips mit 45-Nanometer-Strukturen nach Plan läuft.
Anders als vor fünf Jahren noch erwartet, soll die ab 2007 geplante Belichtung von 45-Nanometer-Halbleiter-Strukturen mit Hilfe der Immersions-Lithografie und 193-nm-Laser-Lichtquellen erfolgen -- ursprünglich wollte die Industrie mit 157-nm-Licht arbeiten. Spätestens seit Intels Ausstieg aus der 157-nm-Technik arbeiten die Entwickler aber mit Hochdruck an der 193-nm-Immersions-Technik, wobei noch einige Probleme zu lösen sind.
Auf einem Symposium im belgischen Brügge, das das Forschungszentrum IMEC und der Verband Sematech in Kooperation mit der japanischen SELETE veranstalteten, haben sich die rund 380 versammelten Industrie- und Forschungs-Experten nach Angaben der Veranstalter zuversichtlich geäußert. So werde die 193-nm-Immersionstechnik (kurz 193i) nun als das "Belichtungsverfahren der Wahl" für 45-nm-Strukturen eingeschätzt. Im vergangenen Jahr hatte SELETE die Entwicklungsarbeiten an einem 157-nm-System noch mit reduzierter Priorität fortgeführt.
Die bekannten Anlagenhersteller -- etwa ASML, Canon oder Nikon -- wollen ab 2006 eine neue Generation von Belichtungs-Scannern liefern, die ab 2007 in die Produktion von 65-nm-Strukturen integriert werden sollen und dann auch für 45 nm zur Anwendung kommen sollen, möglicherweise sogar noch darunter. Für noch kleinere Strukturen müssen allerdings Linsen mit hoher Numerischer Apertur (NA größer als 1,3) ebenso noch entwickelt werden wie "High-Index"-Flüssigkeiten, die eine höhere NA als Wasser erreichen. Probleme gibt es auch noch mit den lichtempfindlichen Lacken (Photoresists), die teilweise mit zusätzlichen Schichten (Top Coatings) abgedeckt sein müssen. Außerdem stören noch Polarisationseffekte bei Linsen und Masken. (ciw)
