Flash-Spezialist SST kündigt dritte Chip-Generation an
Die neuen Chips entstehen zunächst in 0,11-Mikrometer-Fertigungstechnik, später stehen 90- und 65-Nanometer-Technik auf dem Programm; 256 MBit bis 16 GBit Kapazität sind vorgesehen.
Die kalifornischen Flash-Spezialisten von Silicon Storage Technology (SST) entwickeln gemeinsam mit der taiwanischen Chipschmiede Powerchip (PSC) ihre dritte Generation von SuperFlash-Bausteinen.
Die neuen Chips entstehen zunächst in 0,11-Mikrometer-Fertigungstechnik (110 Nanometer), später stehen 90- und 65-Nanometer-Technik auf dem Programm. Während die 1993 eingeführte erste SuperFlash-Generation bei nicht flüchtigen Speicherchips mit 256 KBit bis 16 MBit Kapazität zum Einsatz kam, sind bei der kommenden Generation 256 MBit bis 16 GBit vorgesehen. Einen konkreten Zeitrahmen nannte SST allerdings nicht -- zwischen Entwicklungs- und Produktionsphase können erfahrungsgemäß mehrere Jahre liegen (so stellte etwa Samsung bereits vor zweieinhalb Jahren einen 4-GBit-SDRAM-Prototyp vor, während die seit 1999 entwickelten 1-GBit-SDRAMs soeben erst im Handel auftauchen).
Die SuperFlash-Zellen sind vom NOR-Typ, haben ein "Split Gate" und nutzen ein dickes Gate-Oxid. Nach Angaben von SST gehören zahrleiche namhafte Chipfirmen zu den Lizenznehmern, darunter IBM, Motorola, National Semiconductor, NEC, Oki, Samsung, Sanyo, Seiko Epson, Toshiba, Vanguard und Winbond, aber auch reine Chipfertiger (Foundries) wie Grace und TSMC. Einige der Lizenznehmer fertigen und entwickeln gleichzeitig noch andere Flash-Typen: Toshiba und SanDisk etwa einen 4-GBit-NAND-Chip, Samsung ebenfalls NAND. (ciw)
