IDF: Schneller Fotodetektor in Silizium-Germanium-Technik
Intel baut seine Produktpalette an schnellen optoelektronischen Komponenten für die Kommunikationstechnik weiter aus.
- Erich Bonnert
Nach dem im Juli vorgestellten faseroptischen Modulator präsentiert Intels Forschungsabteilung anlässlich des IDF einen weiteren Durchbruch bei optoelektronischen Komponenten: Mario Paniccia, Leiter von Intels Silicon-Photonics-Labor, zeigte einen Fotodetektor, der Lichtsignale mit einer Rate von 40 GBit/s in elektrische Daten umwandelt.
Um diesen Chip in einem gängigen CMOS-Prozess herzustellen, musste das Silizium-Substrat mit Germanium "gestreckt" werden (Strained Silicon). Reines Silizium wäre für das in der faseroptischen Technik eingesetzte Infrarotlicht transparent. Eine hauchdünne Germanium-Schicht auf dem Silizium bewirkt jedoch eine Veränderung des Kristallgitters, wodurch das Substrat Licht absorbieren und in Elektrizität umsetzen kann. Mit der gemessenen Datenrate von 40 GBit/s will Intel den schnellsten Fotodetektor entwickelt haben. Die Effizienz des Bausteins bei der Detektion der Fotonen beziffert Paniccia auf 95 Prozent, der Dunkelstrom soll unter 200 nA liegen.
Kommerziell werden solche optoelektronischen Komponenten bisher nur aus weitaus teuereren Materialien wie Galliumarsenid oder Indiumphosphid hergestellt. Paniccia sieht jedoch die Leistungsfähigkeit der Si-Ge-Entwicklungen bereits auf der gleichen Ebene. Bis zum Ende des Jahrzehnts wird auch die CMOS-Fabrikation reif für Serienprodukte sein, sagte er am Vortag des IDF.
Intel sucht kontinuierlich nach innovativen Produkten, die sich mit der Standard-CMOS-Fertigungstechnik des Unternehmens produzieren lassen. So will der Halbleiter-Weltmarktführer seine Produktpalette diversifizieren – das Wohl und Wehe der Firma hängt noch immer zum allergrößten Teil am Erfolg der x86-Mikroprozessoren und der zugehörigen Chipsätze.
Zum IDF Fall 2007 siehe auch:
(Erich Bonnert) / (ciw)
