Infineon fertigt Leistungshalbleiter auf ultradünnen 30-Zentimeter-Wafern
Infineon will das bereits auf 20-Zentimeter-Wafern erprobte Verfahren zur Fertigung von Hochspannungs-MOSFETS auf größeren Scheiben einsetzen.
Am Standort Villach hat die Firma Infineon erstmals erfolgreich Leistungstransistoren, sogenannte Hochspannungs-MOSFETs, auf ultradünnen Silizium-Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser produziert. Bisher fertigt Infineon diese Halbleiterbauelemente auf 20-Zentimeter-Scheiben. In Zukunft soll am Standort Dresden aber die Verarbeitung von 30-Zentimeter-Wafern erfolgen.
Während Logik-ICs wie PC-Prozessoren und DRAM- oder NAND-Flash-Speicherchips schon seit rund einer Dekade auf 300-mm-Wafern prroduziert werden, ist das bei diskreten Halbleitern und Analog-ICs noch selten: Die einzelnen Bauteile sind oft so klein oder bei größeren Chips die Fertigungsmenge so gering, dass der Umstieg von 20- auf 30-Zentimeter-Scheiben keine relevanten Vorteile bringt. Anders sieht das aber aus, wenn man eine bereits vorhandene 300-mm-Fab weiternutzen kann. In den ehemals von Qimonda für die DRAM-Fertigung genutzten Anlagen soll die 300-mm-Fertigung von Leistungshalbleitern Arbeitsplätze schaffen.
Mit ultradünnen Wafern meint Infineon Scheiben von nur 40 Mikrometern Stärke; die "normalen" 30-Zentimeter-Wafer sind 0,75 bis 0,8 Millimeter dick. Die geringe Materialstärke bringt bei Leistungshalbleitern Vorteile, deren Die auf beiden Seiten Anschlusskontakte besitzt, bei denen also der Strom durch das Silizium hindurchfließen muss. Die Handhabung der ungefähr pizzagroßen Siliziumscheiben mit 40 µm Stärke ist aber sehr schwierig, weil sie extrem leicht zerbrechen. (ciw)
