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Der große DRAM-Hersteller Hynix hat mit dem STT-MRAM-Entwickler Grandis eine Kooperationsvereinbarung geschlossen.

Der weltweit zweitgrößte DRAM [1]-Chiphersteller Hynix [2] hat mit der Entwicklerfirma Grandis [3] Lizenz- und Kooperationsverträge unterzeichnet. Die beiden Firmen wollen gemeinsam die Grandis-eigene Technik für sogenanntes Spin-Torque-Transfer-(STT-)RAM weiterentwickeln. Dabei geht es unter anderem darum, ein großserientaugliches Verfahren zur Produktion magnetischer Tunnelverbindungen (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) in einem CMOS [4]-kompatiblen Fertigungsprozess zu finden.

Nach einer Phase der Euphorie war in den letzten Jahren in Bezug auf MRAM Ernüchterung eingekehrt [5]; die Technik, die theoretisch die Vorzüge von SRAM, DRAM und Flash-Speicher vereinen könnte, ließ sich bisher nicht mit vertretbarem Aufwand fit machen für eine finanziell attraktive Massenfertigung. Bisher produziert fast ausschließlich Freescale ein paar kommerzielle MRAM-Produkte als Ersatz für batteriegepuffertes SRAM in Spezialanwendungen, etwa in Satelliten [6]. Grandis hat mehrere Lizenznehmer für die STT-Technik, darunter Renesas [7]. (ciw [8])

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https://www.heise.de/-195722

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[1] http://www.heise.de/glossar/entry/Dynamic-Random-Access-Memory-395584.html
[2] http://www.hynix.com/
[3] http://www.grandisinc.com/
[4] http://www.heise.de/glossar/entry/Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor-396783.html
[5] https://www.heise.de/news/Neue-Ansaetze-in-der-MRAM-Entwicklung-192891.html
[6] https://www.heise.de/news/embedded-World-MRAM-im-Weltraum-183779.html
[7] https://www.heise.de/news/Renesas-will-schon-bald-65-nm-MRAMs-produzieren-153643.html
[8] mailto:ciw@ct.de

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