Lebenszeichen von MRAM
Der große DRAM-Hersteller Hynix hat mit dem STT-MRAM-Entwickler Grandis eine Kooperationsvereinbarung geschlossen.
Der weltweit zweitgrößte DRAM-Chiphersteller Hynix hat mit der Entwicklerfirma Grandis Lizenz- und Kooperationsverträge unterzeichnet. Die beiden Firmen wollen gemeinsam die Grandis-eigene Technik für sogenanntes Spin-Torque-Transfer-(STT-)RAM weiterentwickeln. Dabei geht es unter anderem darum, ein großserientaugliches Verfahren zur Produktion magnetischer Tunnelverbindungen (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) in einem CMOS-kompatiblen Fertigungsprozess zu finden.
Nach einer Phase der Euphorie war in den letzten Jahren in Bezug auf MRAM Ernüchterung eingekehrt; die Technik, die theoretisch die Vorzüge von SRAM, DRAM und Flash-Speicher vereinen könnte, ließ sich bisher nicht mit vertretbarem Aufwand fit machen für eine finanziell attraktive Massenfertigung. Bisher produziert fast ausschließlich Freescale ein paar kommerzielle MRAM-Produkte als Ersatz für batteriegepuffertes SRAM in Spezialanwendungen, etwa in Satelliten. Grandis hat mehrere Lizenznehmer für die STT-Technik, darunter Renesas. (ciw)
