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Der US-Chiphersteller Texas Instruments hat seinen ersten funktionsfähigen Halbleiterbaustein mit 90 Nanometer kleinen Strukturen ausgeliefert.

Der US-Chiphersteller Texas Instruments (TI [1]) hat seinen ersten funktionsfähigen Halbleiterbaustein mit 90 Nanometer kleinen Strukturen ausgeliefert. Damit ist das Unternehmen nach eigenen Angaben eines der ersten, das die 90-Nanometer-Produktion beherrscht.

Bei dem jetzt erstmals gelieferten Chip handelt es sich um einen digitalen Basisband-Baustein für drahtlose Anwendungen. In diesem Markt sind geringe Leistungsaufnahme und hohe Schaltfrequenzen wichtig. Das erreicht man durch kurze Transitor-Gatelängen, niedrige Schaltspannungen und optimale Einstellung des Gate-Oxids und des Bias. Ein einzelner Transistor auf dem 90-nm-Chip misst nur noch 37 Nanometer und ist damit 2000-mal dünner als eine Zeitungspapierseite. Der TI-Fertigungsprozess ermöglicht die Integration von über 400 Millionen solcher Transistoren auf einem IC mit bis zu neun Lagen Kupfer-Metallisierung.

Zu den weiteren Vorteilen des 90-nm-Verfahrens von TI gehören der Einsatz von Organo-Silikatglas (OSG) mit einer Dielektrizitätzszahl von 2,8 als Low-k-Dielektrikum und von nur noch 1,2 nm dünnem, Plasma-nitriertem Oxid (PNO) als Gate-Isolator, das besonders zuverlässig sein und akzeptable Gate-Leckströme sicherstellen soll. Intel arbeitet bei seinem 1,2-nm-Gateoxid noch mit SiO[sub [2]2[/sub]].

TI hat mehrere Prozessvarianten für unterschiedliche Anwendungen im Angebot: Der jetzt ausgelieferte Chip entstand aus der GS50-Entwicklungsbibliothek, die auf niedrige Leistungsaufnahme zielt. Die Bibliothek SR50 hält die Waage zwischen Leistungsbedarf und Schaltfrequenzen, eine dritte Variante ist für Hochleistungsprozessoren wie die kommende UltraSPARC-Generation [3] gedacht.

Im 90-nm-Prozess will TI auch Embedded-SRAM-Zellen mit einer Speicherdichte von bis zu 800 KBit pro Quadratmillimeter anbieten und ab dem Jahr 2005 auch nichtflüchtige FRAM-Zellen [4].

Mit der erfolgreichen Serienfertigung von 90-nm-Chips hat sich TI im Rennen um diese Prozesstechnik eine Spitzenposition erobert. In den letzten Monaten war zwischen Firmen wie IBM [5], Intel [6], NEC [7], Samsung Electronics [8] und Toshiba [9] ein Wettlauf um diese wichtige Technik entbrannt. Kürzlich kündigte auch die Chip-Foundry TSMC [10] ihr Nexsys-Verfahren für 90-nm-Chips an, das im zweiten Quartal in die Prototypen-Fertigung gehen soll. Auch UMC [11] will dann mit der 90-nm-Pilotfertigung beginnen und hat unterdessen ein Phase-Shifting-Verfahren von Numerical Technologies [12] zur Belichtung der Wafer lizenziert. Laut Numerical wurden dank Phase-Shift-Technik schon 9-nm-Transistoren mit herkömmlichen (Kryptonfluorid-)Laserbelichtern mit einer Wellenlänge von 248 nm im Labor hergestellt. (ciw [13])

URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-73653

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.ti.com/
[2] https://www.heise.de/news/Intels-90-nm-Prozess-mit-gestresstem-Silizium-68699.html
[3] https://www.heise.de/news/Sun-kuendigt-UltraSPARC-III-mit-1-2-GHz-an-62816.html
[4] https://www.heise.de/news/Texas-Instruments-demonstriert-64-MBit-FRAM-70307.html
[5] https://www.heise.de/news/Wettlauf-um-90-Nanometer-Technologie-71893.html
[6] https://www.heise.de/news/Intels-Schluessel-zur-absoluten-Marktmacht-61930.html
[7] https://www.heise.de/news/NEC-und-TSMC-gemeinsam-zum-0-10-Mikron-Chip-38284.html
[8] https://www.heise.de/news/Samsung-fertigt-erste-2-GBit-Flash-Speicherchips-62589.html
[9] https://www.heise.de/news/Toshiba-will-Wettlauf-um-90-Nanometer-Chips-gewinnen-72701.html
[10] http://www.tsmc.com/
[11] http://www.umc.com/
[12] http://www.numeritech.com/
[13] mailto:ciw@ct.de

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