Samsung fertigt erste 2-GBit-Flash-Speicherchips
Durch eine Strukturverkleinerung auf 90 Nanometer ist es Samsung Electronics gelungen, die Kapazität von Flash-Speicherchips auf 2 GBit zu steigern.
Durch eine Strukturverkleinerung auf 90 Nanometer ist es Samsung Electronics gelungen, die Kapazität von Flash-Speicherchips auf zwei GBit zu steigern. Das koreanische Unternehmen liefert nach eigenen Angaben bereits Muster dieser Bausteine aus.
Seit August fertigt Samsung NAND-Flash-Bausteine in 0,12-µm-Technik mit einem GBit Kapazität in Serie und stellt daraus auch 2-GBit-Dual-Die-Packages her. Diese sind in der Herstellung teurer und auch größer als die neuen Chips. Bei diesen ist eine einzelne Speicherzelle nur noch 0,05 µm2 groß. Um trotzdem die Daten mit ausreichender Zuverlässigkeit zu speichern, hat Samsung die spezielle "Sacrificial Self Align Shallow Trench Isolation" SSA-Sti entwickelt.
Ein 2-GBit-Flash-Chip speichert 256 MByte Daten. Samsung hofft, dass durch die Miniaturisierung und die geringen Kosten USB-Flash-Sticks bald Disketten und ZIP-Laufwerke ersetzen könnten. Multichip-Module aus vier 2-GBit-Dies bieten laut Samsung mit 1 GByte Kapazität genügend Platz für komplette Spielfilme in guter Kompressionsqualität. Zurzeit sind Flash-Kärtchen mit mehr als 512 MByte noch nicht an jeder Straßenecke zu bekommen und auch recht teuer. Die seltenen 1-GByte-CompactFlash-Karten kosten mehr als das IBM Microdrive gleicher Kapazität.
Bis Flash-Medien preiswert genug sein werden, um als Träger für verkaufte Multimedia-Inhalte zu dienen, dürfte allerdings noch viel Wasser den Rhein herabfließen. Außerdem konkurrieren dann vielleicht schon preiswertere digitale Polymer-Speichertypen wie Ovonics Unified Memory OUM und die TFE-Produkte mit den Flash-EEPROMs. Alle Hersteller hoffen dabei, der Medienindustrie die potenziellen Vorteile solcher Speicherbausteine in Bezug auf den Kopierschutz und das Digital Rights Management DRM schmackhaft machen zu können. (ciw)
