DRAM-Hersteller Nanya will seine Fertigungskapazität erweitern
Der auf die Herstellung von DRAM-Chips spezialisierte taiwanische Hersteller, der auch mit Infineon kooperiert, will seine Fertigungskapazität mit einer 300-mm-Wafer-Fab deutlich erweitern.
Ab Mitte 2007 soll ein neues Halbleiterwerk des taiwanischen DRAM-Spezialisten Nanya die Produktion aufnehmen. Die Anlagen sind zunächst auf die Verarbeitung von bis zu 24.000 300-mm-Silizium-Wafern monatlich ausgelegt, auf denen Speicherchips mit 70-Nanometer-Strukturen entstehen sollen. Später könnte die etwa 1,2 Milliarden bis 1,5 Milliarden US-Dollar teure Fab auf bis zu 60.000 "Wafer-Starts" monatlich ausgebaut werden; an feineren DRAM-Chipstrukturen arbeitet Nanya bereits gemeinsam mit seinem Inotera-Jointventure-Partner Infineon.
Über Inotera hat Nanya bereits Zugriff auf eine 300-mm-Anlage, die monatlich ebenfalls bis zu 60.000 Wafer verarbeiten kann. Die dort hergestellten Chips verkaufen Nanya und Infineon unter eigenen Namen – Nanya hat beispielsweise noch die Eigenmarke Elixir, Infineon Aeneon.
Die erfolgreiche DRAM-Firma Nanya gehört – wie übrigens auch VIA Technologies (und damit auch S3 Graphics) oder FIC – zur riesigen Formosa-Platics-Gruppe, einem der größten privaten taiwanischen Unternehmen. Nanya hat kürzlich explizit dementiert, die DRAM-Sparte von Infineon kaufen zu wollen. (ciw)
