Intel eröffnet weiteres Fertigungswerk für 45-Nanometer-Chips
Mit der Fab 32 hat Intel im US-Bundesstaat Arizona die zweite Fertigungsanlage für Halbleiterbauelemente mit 45-Nanometer-Strukturen in Betrieb genommen.
Nach rund zwei Jahren Bauzeit hat Intel nun am Standort Chandler beziehungsweise Ocotillo bei Phoenix/Arizona die Fab 32 in Betrieb genommen. Die Reinraumfläche soll nach Firmenangaben rund 184.000 Quadratmeter betragen.
Nach der Fab D1D in Hillsboro bei Portland/Oregon ist die Fab 32 das zweite Werk, das für den 45-Nanometer-Fertigungsprozess P1266 ausgerüstet ist. Im kommenden Jahr sollen zwei weitere 45-nm-Fabs in Betrieb gehen, und zwar in Kiryat Gat (Fab 28, Israel) und Rio Rancho (Fab 11X, New Mexico, USA).
Die ersten 45-nm-Prozessoren für Server (Quad-Core-Xeons E5400, Harpertown) und Desktop-Rechner (Quad-Core Core 2 Extreme QX9650, Yorkfield) sollen am 12. November vorgestellt werden, im nächsten Jahr folgt dann die Umstellung praktisch der gesamten Produktpalette (Celeron Dual-Core E1000, Pentium Dual-Core E2000, Core 2 Duo E4000 und E6000/Wolfdale, Mobilprozessoren Core 2 Duo/Penryn, Silverthorne, Diamondville) auf 45-nm-Kerne. Auch die neuen Kerne der für Ende 2008 angekündigten Nehalem-Architekturgeneration sollen 45-Nanometer-Strukturen aufweisen.
Die Fab 32 arbeitet laut Intel vergleichsweise umweltschonend. Man habe den Wasserverbrauch reduziert und das Werk nach den LEED-Kriterien (Leadership in Energy and Environmental Design) zertifiziert. (ciw)
