Globalfoundries: 7-nm-FinFETs, 12 nm FD-SOI und eMRAM
Der Chip-Auftragsfertiger kündigt für 2018 die Vorserienproduktion von Bauelementen mit 7-Nanometer-Transistoren an, dann soll es auch Embedded MRAM in 22-nm-Chips auf Fully-Depleted-SOI-Wafern geben und ab 2019 auch 12-nm-Strukturen auf FD-SOI.
Globalfoundries 22FDX
(Bild: Globalfoundries)
Der nach TSMC weltweit zweitgrößte Chip-Auftragsfertiger Globalfoundries erwartet, dass die Fertigungstechnik für 7-Nanometer-FinFETs in einigen Jahren besonders hohe Stückzahlen liefert. Ab dem zweiten Halbjahr 2017 sollen Globalfoundries-Kunden Zugriff auf die nötigen Design-Tools bekommen, um 7-nm-Chips zu entwickeln, deren "Risk Production" dann 2018 starten soll. Globalfoundries erwähnt im Zusammenhang mit 7nm FinFET auch seine derzeit feinste Fertigungstechnik 14LPP, die man von Samsung Electronics übernommen hat.
Auch die Kooperation mit IBM spielt eine nicht genauer detaillierte Rolle. Anscheinend ist 7nm FinFET auch für AMD interessant, denn auch AMD-CEO Lisa Su wird in der Pressemeldung zitiert. Die 7-nm-Produktion soll in der Fab 8 in New York starten.
Embedded MRAM
Nicht um feinste, sondern um spezielle Halbleiterstrukturen geht es bei Embeddded MRAM (eMRAM): Die nichtflüchtigen Magneteffekt-Speicherzellen sollen Entwickler in Chips integrieren können, die ebenfalls ab 2018 in Serie produziert werden sollen, allerdings mit 22-Nanometer-Stukturen auf Fully-Depleted-SOI-Wafern (FD-SOI). Die Fertigungstechnik 22FDX läuft bereits bei Globalfoundries und das Unternehmen produziert für Everspin auch die MRAM-Chips mit der bislang höchsten Kapazität, nämlich 256 Megabit (32 MByte).
Eine weitere Besonderheit von eMRAM ist die hohe Temperaturbeständigkeit: Der Speicher in einem Chip soll seinen Inhalt behalten, wenn er im Reflow-Verfahren bei 260 Grad Celsius verlötet wird.
12FDX in Dresden
Die 22FDX-Produktion läuft unter anderem in der Dresdner Fab 1. Dort baut Globalfoundries derzeit die Anlagen auf, um ab 2019 auch 12-Nanometer-Strukturen auf FD-SOI herstellen zu können (12FDX). Die neue Technik soll sich gut für Mixed-Signal-ICs eingen, auch mit HF-Schaltkreisen und eingebettetem Speicher.
Die Performance der 12FDX-Transistoren vergleicht Globalfoundries mit der von 10-nm-FinFETs, Verlustleistung und Fertigungskosten sollen günstiger sein als bei 16-nm-FinFETs. (ciw)
