IBM-Entwickler zeigen 7-Nanometer-Chip aus der EUV-Produktion
Gemeinsam mit dem Halbleiter-Forschungszentrum der Uni Albany haben IBM, Globalfoundries und Samsung die ersten Test-Chips mit 7-Nanometer-Transistoren mit EUV-Lithografie belichtet.
Der 7-nm-Test-Chip mit SiGe aus der EUV-Lithografie.
Stolz präsentiert IBM ein erstes konkretes Ergebnis der Forschungsarbeit zur Herstellung von 7-Nanometer-Hableitern: einen Test-Chip mit funktionsfähigen Transistoren, bei denen Silizium-Germanium (SiGe) im Channel zum Einsatz kommt und der mit Extrem-UV-(EUV-)Lithografie belichtet wurde. Der Erfolg gelang der von IBM Research geführten Forschungsallianz mit dem Auftragsfertiger Globalfoundries, der Chipsparte von Samsung und dem College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) an der Uni Albany im Bundesstaat New York.
Laut IBM zeigt der Test-Chip, dass die 7-nm-Technik eine Verringerung des Flächenbedarfs von nahezu 50 Prozent "im Vergleich zur gegenwärtig fortschrittlichsten 10-nm-Technologie" ermöglicht. Um welche 10-nm-Fertigungstechnik es sich dabei handelt, lässt die Pressemeldung offen; Intel jedenfalls plant, im zweiten Halbjahr 2016 mit der 10-nm-Serienfertigung zu beginnen. TSMC will noch 2015 mit der "Risk Production" von 10-nm-Wafern loslegen, also mit Prototypen.
Zu den genauen Strukturen der 7-nm-Transistoren äußern sich die Forscher nicht, also ob es sich um FinFETs oder andere 3D-Konstruktionen handelt. Erwähnt wird SiGe-Technik im Channel, "um die Transistorleistung in der 7-nm-Technologie zu verbessern". SiGe kommt schon seit Jahren in der Großserienfertigung zum Einsatz, aber um das Kristallgitter zu "verspannen", also für "Strained Silicon".
Termine unklar
Sowohl Intel als auch TSMC entwickeln ebenfalls Fertigungsverfahren für 7-nm-Transistoren und investieren viel Geld in die Entwicklung leistungsfähigerer EUV-Lithografiesysteme bei ASML, übrigens gemeinsam mit Samsung.
Während TSMC bereits verkündet hat, die "Risk Production" von 7-nm-Chips 2017 aufzunehmen, schweigen sich die Konkurrenten über ihre Zeitpläne aus. Bei Intel lässt sich aus Präsentationsfolien vage eine Serienfertigung ab etwa 2018 erahnen – das würde zur bisherigen Planung des Tick-Tock-Modells passen, allerdings spekuliert man nach den Verzögerungen bei der 14-nm-Technik auch über einen späteren Start der 10-nm-Technik. (ciw)
